[发明专利]套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质

说明书

本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质。本发明中，套刻误差的补偿方法应用于晶圆，包括：获取已曝光晶圆的套刻误差；将所述已曝光晶圆划分为若干区域；根据各所述区域对应的套刻误差分别计算各所述区域对应的补偿值；利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿。本发明提供的套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质，能够提高晶圆的套刻误差补偿精度，提高产品良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种套刻误差的补偿方法、晶圆曝光系统、服务器及计算机可读存储介质。

背景技术

晶圆在光刻制程过程中，曝光显影后的图形(当层)，必须与晶圆衬底上的已有图形(前层)对准，才能保证各器件之间的连接正确。曝光图形的当层和前层之间的相对位置称为套刻误差(Overlay)。套刻误差太大会造成器件短路或断路，影响产品良率。现有技术中，套刻误差补偿方法是综合计算晶圆表面各个量测点，得出最佳值，对整张晶圆进行平均补偿。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于不同的位置可能会产生较大差异的套刻误差，采用相同的补偿值对整张晶圆进行平均补偿的方法，补偿之后晶圆整体的套刻误差残留还是较大，产品良率仍有待提高。虽然利用光刻套刻对准补偿子程式(Gridmapper subrecipe)可以对晶圆进行非均匀的补偿，但是Gridmapper subrecipe的建立需要收集大量的数据点，同时需要手动更新，一旦晶圆制程工艺发生较大的变异，Gridmapper subrecipe无法及时对晶圆进行有效补偿。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种套刻误差的补偿方法、晶圆曝光系统、服务器及计算机可读存储介质，能够减小晶圆的套刻误差，提高产品良率。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种套刻误差的补偿方法，应用于晶圆，包括：获取已曝光晶圆的套刻误差；将所述已曝光晶圆划分为若干区域；根据各所述区域对应的所述套刻误差分别计算各所述区域对应的补偿值；利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿。

本发明的实施方式还提供了一种晶圆曝光系统，包括：控制装置、以及与所述控制装置相连的获取装置和光刻机；所述获取装置，用于获取已曝光晶圆的套刻误差；所述控制装置，用于将所述已曝光晶圆划分为若干区域，分别根据各所述区域相应的套刻误差计算各所述区域对应的补偿值；所述光刻机，用于利用所述补偿值，分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿并曝光。

本发明的实施方式还提供了一种服务器，包括：至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行如上述的套刻误差的补偿方法。

本发明的实施方式还提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的套刻误差的补偿方法。

本发明实施方式相对于现有技术而言，通过获取已曝光晶圆的套刻误差，将所述已曝光晶圆划分为若干区域，根据各所述区域对应的所述套刻误差分别计算各所述区域对应的补偿值，利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿，即，利用已曝光晶圆的不同区域的套刻误差，得到不同区域的补偿值，并分别利用各区域的补偿值对待曝光晶圆的各区域进行补偿，从而不仅实现了针对晶圆的不同区域分别进行补偿，还能根据实际情况进行不断更新回补，提高了对晶圆进行补偿的准确性，减小了晶圆的套刻误差，提高产品良率。

另外，形成所述已曝光晶圆和所述待曝光晶圆的工艺条件相同。如此设置，使得根据所述已曝光晶圆的套刻误差计算出来的各区域的补偿值，能够更好的适用于所述待曝光晶圆的各区域的补偿。