[发明专利]一种电池保护芯片、多串电池级联保护电路有效
| 申请号: | 202010162578.2 | 申请日: | 2020-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN111490569B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 李杰;白青刚;杨小华 | 申请(专利权)人: | 深圳市创芯微微电子有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H01M10/42;H01M10/48 |
| 代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 张美君 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电池 保护 芯片 级联 电路 | ||
1.一种电池保护芯片,其特征在于,所述电池保护芯片包括:
主控制器、电压检测电路、驱动输出电路、至少一组检测信号输入模块和检测信号输出模块;
所述电压检测电路、驱动输出电路、检测信号输入模块和检测信号输出模块分别与所述主控制器连接;
所述电压检测电路用于检测电池串中的每一节电池的电压信号,并将所述电压信号发送至所述主控制器;
所述检测信号输入模块用于接收下级电池保护芯片发送的检测信号,并将所述检测信号发送至所述主控制器;
所述主控制器用于对所述电压信号进行处理,判断是否放生过冲/过放,并在发生过冲/过放时根据所述检测信号向所述驱动输出电路输出控制信号,以及将所述检测信号发送至所述检测信号输出模块;
所述检测信号输出模块用于将所述检测信号发送至上级电池保护芯片;
所述驱动输出电路用于根据所述控制信号生成充电驱动信号/放电驱动信号,并将所述充电驱动信号/放电驱动信号发送至下级电池保护芯片;
所述检测信号输出模块包括:
第一NMOS管、第二NMOS管;
所述第一NMOS管的源极与所述电池保护芯片所连接的电池包的负端连接,栅极连接第一偏置电压,漏极与所述第二NMOS管的源极连接;
所述第二NMOS管的栅极与所述主控制器连接,漏极作为所述检测信号输出模块的输出端,用于连接上级电池保护芯片;
所述第一NMOS管的衬底、第二NMOS管的衬底与所述第一NMOS管的源极短接;所述第一NMOS管用于产生第一弱偏置电流I1,所述第二NMOS管用于根据检测信号决定所述检测信号输出模块是否输出所述第一弱偏置电流I1;
所述检测信号输入模块包括:
第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管;
所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极之间的共接点与所述电池保护芯片所连接的电池包的正端连接,所述第一PMOS管、第二PMOS管的栅极共接于第二偏置电压;所述第一PMOS管的衬底与源极短接,所述第二PMOS管的衬底与源极短接;所述第一PMOS管、第二PMOS管用于产生第二弱偏置电流I2,所述第一弱偏置电流I1大于所述第二弱偏置电流I2;
所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接;所述第四NMOS管的源极与衬底之间的共接点与所述电池保护芯片所连接的电池包的负端连接;所述第四NMOS管的源极与栅极短接,所述第四NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接;
所述第三NMOS管的源极与衬底之间的共接点作为所述检测信号输入模块的输入端,用于连接下级电池保护芯片;所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极之间的共接点与所述主控制器连接。
2.如权利要求1所述的电池保护芯片,其特征在于,所述检测信号包括负载检测信号、充电器检测信号;
所述电池保护芯片还包括负载/充电检测模块;
所述负载/充电检测模块与所述主控制器连接,用于检测负载/充电器是否已接入,并根据检测结果向所述主控制器发送检测信号。
3.一种多串电池级联保护电路,包括充电开关、放电开关,所述充电开关和放电开关串接在电池和充电电源或负载之间的充放电回路中,其特征在于,还包括若干个如权利要求1或2所述的电池保护芯片;
每一级电池保护芯片的检测信号输入模块的输入端与下一级电池保护芯片的检测信号输出模块的输出端连接;
每一级电池保护芯片的检测信号输出模块的输出端与上一级电池保护芯片的检测信号输入模块的输入端连接;
其中最下一级电池保护芯片还包括一负载/充电检测模块,所述最下一级电池保护芯片的驱动输出电路与所述充电开关的控制端、放电开关的控制端连接,负载/充电检测模块与充放电回路中的负载/充电检测点连接。
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