[发明专利]光纤在审

专利信息
申请号: 202010161978.1 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN111694092A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 铃木雅人;川口雄挥;佐久间洋宇;田村欣章;长谷川健美 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: G02B6/028 分类号: G02B6/028;G02B6/036
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾红霞;张芸
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光纤
【说明书】:

根据本发明实施例的光纤具有用于使得能够在预制件阶段确定传输损耗的改善的结构。该光纤包括:包含Cl并且平均折射率低于纯石英玻璃的折射率的芯部;包含F的第一包层;第二包层;以及树脂涂层,其中,在波长为1550nm时的有效面积为135μm2以上且170μm2以下,有效面积与截止波长λC的比率为85.0μm以上,在波长为1550nm且弯曲半径R为15mm时的LP01模的弯曲损耗为每10匝小于4.9dB,并且树脂涂层包括杨氏模量为0.3MPa以下的初级树脂层。

技术领域

本公开涉及光纤。

本申请要求2019年3月14日提交的日本专利申请No.2019-047245的优先权,并且该日本专利申请中描述的所有内容并入本文。

背景技术

专利文献1(日本专利申请公开No.2014-238526)、专利文献2(日本专利申请公开No.2015-166853)和专利文献3(日本专利申请公开No.2017-62486)公开了具有W型折射率分布的光纤。W型折射率分布由芯部、构成凹陷包层结构的第一包层和第二包层来实现。第一包层的折射率低于芯部中的折射率,并且第二包层的折射率低于芯部中的折射率且高于第一包层中的折射率。

在用于获得具有这种W型折射率分布的光纤的预制件的制造中,使用诸如杆塌缩(rod-in collapse method)法、气相轴向沉积(VAD)法、外部气相沉积(OVD)法之类的方法在将要成为芯部和第一包层的玻璃区域的外周面上形成将要成为第二包层的玻璃区域。

发明内容

根据本公开实施例的光纤包括芯部、第一包层、第二包层以及树脂涂层。芯部至少包括包含氯(Cl)的区域,并且芯部的平均折射率低于纯石英玻璃的折射率。第一包层布置成包围芯部。第一包层至少包含氟(F),并且第一包层的折射率低于芯部的平均折射率。第二包层布置成包围第一包层,并且第二包层的折射率高于第一包层中的折射率。树脂涂层布置成包围第二包层。特别地,在波长为1550nm时的有效面积Aeff为130μm2以上且170μm2以下。有效面积Aeff与截止波长λC的比率(AeffC)为85.0μm以上。在波长为1550nm且弯曲半径R为15mm时的LP01模的弯曲损耗为每10匝小于4.9dB。树脂涂层至少包括杨氏模量为0.3MPa以下的初级树脂层。

附图说明

图1是示出光纤的横截面结构的实例的图;

图2A是示出光纤的折射率分布的实例的图;

图2B是示出光纤的折射率分布的另一实例的图;

图3A是汇总了根据本实施例的样品1至13的光纤的规格的表格;

图3B是汇总了根据本实施例的样品1至13的光纤的弯曲损耗的表格;

图4A是汇总了根据比较例1至11的光纤的规格的表格;

图4B是汇总了根据比较例1至11的光纤的弯曲损耗的表格;

图5是示出基于样品1的传输损耗的在波长为1550nm时的传输损耗增加(dB/km)与AeffC(μm)之间的关系的图表;

图6是示出基于样品1的传输损耗的在波长为1550nm时的传输损耗增加(dB/km)与ΔD(%)之间的关系的图表;

图7是示出基于样品1的传输损耗的在波长为1550nm时的传输损耗增加(dB/km)与ΔP(%)之间的关系的图表;

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