[发明专利]多层布线基板

说明书

提供多层布线基板，能够抑制晶体管的工作区域的温度上升上的偏差。在多层布线基板的覆盖最上方的导体层的导体图案的保护膜上，设置有使导体图案的局部暴露的在一个方向上较长的开口。第1通路导体从最上方的导体图案向下方延伸，至少到达第2层的导体图案。第2通路导体从第2层或者第3层的导体图案向下方延伸，到达至少向下1层的导体图案。在俯视时，第1通路导体与开口局部重叠。多个第2通路导体中的至少2个第2通路导体配置在隔着开口的位置。隔着开口的多个第2通路导体中，从配置在开口的一侧的第2通路导体到开口为止的最窄的间隔与从配置在另一侧的第2通路导体到开口止的最窄的间隔之差小于从多个第2通路导体到开口止的最窄的间隔。

技术领域

本发明涉及多层布线基板。

背景技术

在包含电力放大器的半导体集成电路芯片(IC芯片)的工作时，晶体管自身发热。电力放大器的性能，与晶体管的工作温度的上升一同劣化。为了抑制电力放大器的性能劣化，期望从作为发热源的晶体管向IC芯片和安装IC芯片的模块基板外高效地散热。在将IC芯片经由凸块而与模块基板连接的情况下，从晶体管的接地端子、即发射极或者源极起经由凸块而到达模块基板的接地用外部电极的电流路径，作为从晶体管到外部的主要的散热路径发挥功能。

在下述的专利文献1中公开一种混成集成电路装置，朝向散热板的热传导率较高，并且能够稳定地使用。专利文献1所公开的混成集成电路装置具有多层陶瓷基板和散热板。在多层陶瓷基板的表面侧安装有倒装型元件，在背面侧经由散热用金属薄层而连接有散热板。在多层陶瓷基板上，设置有从倒装元件的底部朝向散热用金属薄层的多个导热用贯通孔。导热用贯通孔随着从倒装型元件朝向散热用金属薄层的方向而增设。

专利文献1：日本特开平8-148839号公报

电力放大电路的输出级晶体管通常由相互并联连接的多个晶体管单元构成。若在晶体管单元的各个工作区域(发射极区域)内或者多个晶体管单元的工作区域之间散热路径的热传导率存在偏差，则由自我发热引起的温度上升上，产生偏差。其结果为，在电力放大工作时，在一个晶体管单元的工作区域内以及多个晶体管单元的工作区域之间电力密度产生偏差。若产生这些偏差，则作为电力放大器整体的性能、例如输出、效率、增益等降低。

发明内容

在以往的技术中，能够提高散热特性，但没有考虑到在一个晶体管单元的工作区域内和多个晶体管单元的工作区域之间的温度上升上的偏差。本发明的目的在于，提供一种多层布线基板，能够抑制晶体管的工作区域的温度上升上的偏差。

根据本发明的一个观点，提供多层布线基板，将配置有导体图案的导体层和绝缘层交替地层叠，在上表面安装半导体元件，其中，该多层布线基板具有：保护膜，其覆盖最上方的第1导体层的导体图案，设置有使所述第1导体层的导体图案的局部暴露的在一个方向上较长的至少一个开口；至少一个第1通路导体，其从所述第1导体层的导体图案向下方延伸，至少到达第2层的第2导体层的导体图案；以及多个第2通路导体，其从所述第2导体层或者第3层的第3导体层的导体图案向下方延伸，到达至少向下1层的导体层的导体图案，在将所述开口的长度方向定义为第1方向时，或者将与长度方向正交且与所述多层布线基板的上表面平行的方向的一方定义为第1方向时，在俯视时，所述第1通路导体与所述开口局部重叠，所述多个第2通路导体中的至少2个第2通路导体，在沿所述第1方向隔着所述开口的位置，与所述开口分离地配置，沿所述第1方向隔着所述开口的所述多个第2通路导体中，从配置在所述开口一侧的至少一个第2通路导体到所述开口为止的最窄的间隔即第1最小间隔与从配置在所述开口另一侧的至少一个第2通路导体到所述开口为止的最窄的间隔即第2最小间隔之差小于从所述多个第2通路导体到所述开口为止的最窄的间隔即综合最小间隔。