[发明专利]一种钕铁硼永磁器件的处理方法

权利要求书

1.一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：将装有钕铁硼永磁器件的承载装置送入带有进料室和出料室的真空镀膜设备的镀膜室内进行涂层，镀膜室内有辊道，辊道的上方设置有溅射装置，所述的溅射装置至少包括离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶中的2种以上；所述的多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶上包含靶材，靶材表面到在镀膜室内进行涂层的钕铁硼永磁器件表面的空间垂直距离在30-200mm范围内；靶材的一部分从靶材表面溅射出来沉积到经过镀膜室内的承载装置上的钕铁硼永磁器件表面形成涂层；所述的溅射装置为3台以上；所述的靶材中至少为选自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一种以上；所述的承载装置在辊道上传送，顺序通过溅射装置。

2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：在将装有钕铁硼永磁器件的承载装置送入镀膜室前，先进入真空镀膜设备的进料室，在进料室内抽真空，当真空度达到5Pa至5☓10^-2Pa范围内时，再把装有钕铁硼永磁器件的承载装置送入镀膜室，在真空镀膜设备的进料室和镀膜室之间设置有真空隔离阀门，在进料室设置有放气阀门，在镀膜室设置有充气阀门，镀膜室充入的气体包含氩气。

3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：承载装置上的钕铁硼永磁器件在真空镀膜设备的镀膜室内进行涂层后，进入真空镀膜设备的出料室，在真空镀膜设备的出料室和镀膜室之间设置有真空隔离阀门，在出料室内设置有辊道。

4.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：所述的溅射装置包括离子源和多弧靶；工作时，装有钕铁硼永磁器件的承载装置顺序通过离子源溅射区域和多弧靶溅射区域。

5.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：所述的溅射装置包括离子源和磁控溅射靶；工作时，装有钕铁硼永磁器件的承载装置顺序通过离子源溅射区域和磁控溅射靶溅射区域；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Al、Ni、Cr、Ti、Tb、Nd、Pr元素中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：所述的溅射装置包括多弧靶和磁控溅射靶；工作时，装有钕铁硼永磁器件的承载装置顺序通过磁控溅射靶溅射区域、多弧靶溅射区域和磁控溅射靶溅射区域；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Al、Ni、Cr、Ti、Tb、Nd、Pr元素中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：所述的溅射装置包括射频溅射靶、多弧靶和磁控溅射靶；工作时，装有钕铁硼永磁器件的承载装置顺序通过射频溅射靶溅射区域、多弧靶溅射区域和磁控溅射靶溅射区域；所述的多弧靶为2台以上；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Al、Ni、Cr、Ti、Tb、Nd元素中的一种以上；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Dy、Tb、Pr、Y元素中的一种以上。

8.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：进料室内设置有加热器，加热温度在20-150℃范围内。

9.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，其特征在于：所述的离子源的工作电压在300-2000V范围内。

10.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的处理方法，该处理方法还包括：将涂层后的钕铁硼永磁器件再送入到真空热处理设备中抽真空、加热和冷却；加热时真空度高于50Pa，加热温度在800-1100℃范围内；冷却时充入氩气。