[发明专利]一种钕铁硼永磁器件表面涂层设备及表面涂层方法

权利要求书

1.一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，主要包括进料阀门、进料室、进料隔离阀门、真空镀膜室、出料隔离阀门、出料室、出料阀门、溅射装置、承载装置、进料真空机组、镀膜真空机组和出料真空机组；进料室、真空镀膜室、出料室内都设置有传送辊；进料阀门、进料室、进料隔离阀门、真空镀膜室、出料隔离阀门、出料室、出料阀门顺序相连；工作时，需要涂层的钕铁硼永磁器件放置在承载装置上，承载装置在传送辊上移动并顺序通过进料阀门、进料室、进料隔离阀门、真空镀膜室、出料隔离阀门、出料室、出料阀门；置于承载装置上的钕铁硼永磁器件在真空镀膜室内进行涂层；在真空镀膜室内设置有溅射装置，所述的溅射装置至少包括选自离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶中的2种以上；多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶上包含靶材，靶材表面到在真空镀膜室内进行涂层的钕铁硼永磁器件表面的空间垂直距离在30-200mm范围内；靶材的一部分从靶材表面溅射出来沉积到经过真空镀膜室内的承载装置上的钕铁硼永磁器件表面形成涂层；所述的溅射装置为3台以上；所述的靶材中至少为选自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：进料室内设置有加热器，加热温度在20-150℃范围内；进料室的传送辊的数量在3至29范围内；传送辊的直径在45mm至180mm范围内。

3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：溅射装置包含离子源和多弧靶，所述的多弧靶为2台以上。

4.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：所述的溅射装置包含离子源和磁控溅射靶，所述的磁控溅射靶为2台以上。

5.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：所述的溅射装置包含多弧靶和磁控溅射靶，所述的多弧靶设置有为3台以上；所述的磁控溅射靶为2台以上。

6.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：所述的溅射装置包含离子源、多弧靶和磁控溅射靶；所述的多弧靶为2台以上；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Al、Ni、Cr、Ti、Tb、Nd元素中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：所述的溅射装置包含多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶；工作时，装有钕铁硼永磁器件的承载装置顺序通过射频溅射靶溅射区域、磁控溅射靶溅射区域、多弧靶溅射区域、磁控溅射靶溅射区域；所述的多弧靶为2台以上；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Al、Ni、Cr、Ti、Tb、Nd元素中的一种以上；至少有1台磁控溅射靶的靶材含有Pr、Dy、Tb、Y元素中的一种以上。

8.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：所述的溅射装置包含离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶。

9.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：所述的离子源的电压在300-2000V。

10.根据权利要求1所述的一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备，其特征在于：在所述的进料室上还设置有气动放气阀门；在所述的真空镀膜室上还设置有充气阀门，充入的气体包含氩气；在所述的出料室上也设置有气动放气阀门。