[发明专利]一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法有效
| 申请号: | 202010158583.6 | 申请日: | 2020-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN111351589B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 袁昕;李婷;曹天骄;陈贵宝;吴龙胜 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 房鑫 |
| 地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 集成 cmos 图像传感器 温度传感器 及其 控制 方法 | ||
1.一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,集成于CMOS图像传感器的温度传感器,包括温度转电压模块(100)以及单积分型ADC模块(101);所述的温度转电压模块(100)包括比例电流生成电路(102),比例电流生成电路(102)将电流源I_bias转换成两路具有固定比例的偏置电流,分别输入核心感温模块(103)中两个NPN型双极晶体管的集电极,两个NPN型双极晶体管的基极-发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块(101),所述的单积分型ADC模块(101)将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出;其特征在于,包括以下步骤:
在温度转电压模块(100)的输出端两次采样输出电压值,将第一次采样的电压值转换为数字码后取补码,并将得到的补码设置为第二次模数转换过程中数字码的起始值。
2.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,其特征在于:
所述的开关电容放大器包括运算放大器(104),运算放大器(104)的正输入端与共模电平VCM连接,两个NPN型双极晶体管的集电极分别经过第一信号选通开关(105)和第二信号选通开关(106)与第一电容(110)的上极板相连,第一电容(110)的下极板与运算放大器(104)的负输入端相连,运算放大器(104)的负输入端与输出端之间连接反馈开关(107),与反馈开关(107)相并联的还设置有第二电容(111);运算放大器(104)的输出端分两路连接单积分型ADC模块(101),两条电路上分别设置有第一输出信号读取开关(108)以及第二输出信号读取开关(109),第三电容(112)和第四电容(113)的一端分别连接在运算放大器(104)的两条输出电路上,第三电容(112)和第四电容(113)的另一端接地。
3.根据权利要求2所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,其特征在于:所述的第一信号选通开关(105)、第二信号选通开关(106)、反馈开关(107)、第一输出信号读取开关(108)以及第二输出信号读取开关(109)采用NMOS和PMOS互补开关结构。
4.根据权利要求2所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,其特征在于:在第一时刻,将开关电容放大器的第一信号选通开关(105)、反馈开关(107)以及第一输出信号读取开关(108)从断开状态切换至闭合状态;待第一次采样阶段完成后,将反馈开关(107)在第二时刻重新切换至断开状态,所述的第一输出信号读取开关(108)在第三时刻重新切换至断开状态,第一信号选通开关(105)在第四时刻切换至断开状态,所述的第四时刻晚于第三时刻;在第五时刻,将单积分型ADC模块(101)的ADC使能信号EN切换至高电平,ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为全0,开始第一次模数转换阶段;待第一次模数转换完成后,所述的ADC使能信号EN重新切换为低电平;在第六时刻,将开关电容放大器的第二信号选通开关(106)和第二输出信号读取开关(109)同时切换至闭合状态,待第二次输出电压采样完成后,所述的第二输出信号读取开关(109)在第七时刻切换至断开状态,第二信号选通开关(106)在第八时刻切换至断开状态,所述的第八时刻晚于第七时刻;在第二次模数转换开始时,所述的ADC使能信号EN再次切换至高电平,ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为第一次转换数字码的补码;待第二次模数转换完成后,所述的ADC使能信号EN重新切换为低电平。
5.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,其特征在于:所述的单积分型ADC模块(101)包括ADC使能信号EN及ADC计数器复位控制信号DIN_RST,当ADC使能信号EN为高时,单积分型ADC模块(101)正常工作;通过配置ADC计数器复位控制信号DIN_RST能够配置单积分型ADC模块(101)各位的初始值。
6.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,其特征在于:
所述的比例电流生成电路(102)采用共源共栅结构电流镜且采用PMOS输出。
7.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制方法,其特征在于:
所述核心感温模块(103)的两个NPN型双极晶体管采用两个尺寸相同的纵向寄生的晶体管,两个NPN型双极晶体管的基极和集电极相连、发射极接地电位。
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