[发明专利]一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭

权利要求书

1.一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，其特征在于，包括：

提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为001、011或111；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。

2.如权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述三种籽晶为宽度相同，长度不同的长方体形状；所述三种籽晶包括第一籽晶、第二籽晶和第三籽晶，所述第三籽晶的长度大于所述第一籽晶的长度，所述第一籽晶的长度大于所述第二籽晶的长度；所述第二籽晶和所述第三籽晶的长度之和大于两倍所述第一籽晶长度。

3.如权利要求2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶、所述第二籽晶和所述第三籽晶按(ABACAB)n的顺序，沿长度方向排列得到第一排籽晶组；所述第一籽晶、所述第二籽晶和所述第三籽晶按(BCBABC)m的顺序，沿长度方向排列得到第二排籽晶组；所述籽晶层由所述第一排籽晶组和所述第二排籽晶组间隔拼接形成，其中，A为所述第一籽晶，B为所述第二籽晶，C为所述第三籽晶，n为大于或等于1的正整数，m为大于或等于1的正整数。

4.如权利要求2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向夹角为第一夹角，所述第一籽晶和所述第三籽晶的侧面晶向夹角为第二夹角，所述第二籽晶和所述第三籽晶的侧面晶向夹角为第三夹角；所述第一夹角、所述第二夹角和所述第三夹角不同。

5.如权利要求2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向夹角为第一夹角，所述第一籽晶和所述第三籽晶的侧面晶向夹角为第二夹角，所述第二籽晶和所述第三籽晶的侧面晶向夹角为第三夹角；所述第一夹角、所述第二夹角和所述第三夹角相等。

6.如权利要求2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶、所述第二籽晶和所述第三籽晶的厚度相等。

7.如权利要求2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述第一籽晶、所述第二籽晶、所述第三籽晶按以下方法制备得到，包括：

制备或提供单晶棒，所述单晶棒的端面晶向为001、011或111；将所述单晶棒的001、011或111标准晶面顺时针旋转不同预设角度，然后沿着旋转后的晶面，调整长、宽尺寸后进行切割，得到长方体形状的籽晶棒，然后按预设厚度切割后，分别得到第一籽晶、第二籽晶或第三籽晶。

8.如权利要求7所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述单晶棒的外周壁上沿其长度方向设置有两两正对的四条棱线，以所述棱线为位置参照，将所述单晶棒的001、011或111标准晶面顺时针旋转所述预设角度，所述预设角度范围为0-45°。

9.一种单晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：

按如权利要求1-8任意一项所述的籽晶铺设方法在坩埚中形成籽晶层；

在所述籽晶层上方填装硅料，加热使所述坩埚内所述硅料熔化成硅熔体；待所述籽晶层未完全融化时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶；

待全部所述硅熔体结晶完后，经退火冷却得到单晶硅锭。

10.一种由权利要求9所述单晶硅锭的制备方法制备得到的单晶硅锭。