[发明专利]具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列

权利要求书

1.一种具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列，其特征为该阵列包括衬底、芯片单元电极，以及阵列排布的多个Micro-LED器件和多个具有梯形侧壁场板的SBD；

所述的Micro-LED器件，最底层为本征GaN缓冲层，本征GaN缓冲层上覆盖有n-GaN层；所述的n-GaN层分为两层，下层n-GaN层全部覆盖本征GaN缓冲层，下层n-GaN层其余的暴露部分是位于一角的矩形；上层n-GaN层的上部，从下到上依次为InGaN/GaN多量子阱层、p型电子阻挡层、p-GaN层和电流扩展层，电流扩展层上表面的外侧覆盖有p-型欧姆电极；下层n-GaN层的暴露部分的上表面设置有矩形的n-型欧姆电极；

所述的具有梯形侧壁场板的SBD，最下面为本征GaN缓冲层，本征GaN缓冲层具体分为两层，而上层本征GaN缓冲层分为两部分，一部分为矩形，另外一部分从外侧边缘向内条状凸起，凸起的横截面为梯形；矩形部分的本征GaN缓冲层的上方覆盖n-GaN层，n-GaN层上内侧设置有欧姆接触电极；梯形凸起的本征GaN缓冲层的外侧的两个梯形斜面上生长侧壁绝缘层，侧壁绝缘层上，以及梯形凸起的上表面上覆盖有肖特基接触电极；

所述的芯片单元电极为两条，一条位于衬底表面的顶端，另一条位于衬底表面的底端，具有梯形侧壁场板的SBD的数量为四个，位于阵列的四角，其余均为Micro-LED器件；

所述的阵列中的器件的连接关系为：

从第一行的一个具有梯形侧壁场板的SBD开始，最后一行的一个具有梯形侧壁场板的SBD结束，进行：具有梯形侧壁场板的SBD器件-Micro-LED器件-...Micro-LED器件-Micro-LED器件-具有梯形侧壁场板的SBD的蛇形排列；蛇形排列中的两个具有梯形侧壁场板的SBD器件中，首部的具有梯形侧壁场板的SBD器件的欧姆接触电极与一个芯片电极相连，肖特基接触电极与相近的Micro-LED器件的n-型欧姆电极相连，尾部的具有梯形侧壁场板的SBD器件的肖特基接触电极与另一个芯片电极相连，欧姆接触电极与相邻Micro-LED器件的p-型欧姆电极相连；相邻的Micro-LED器件之间的电极连接为Micro-LED器件p-型欧姆电极与另一个Micro-LED器件的n-型欧姆电极；总计4个具有梯形侧壁场板的SBD器件中，蛇形排列中首、尾两个具有梯形侧壁场板的SBD之外的另外两个具有梯形侧壁场板的SBD器件不参与蛇形排列的连接，其中，和首部具有梯形侧壁场板的SBD同一行的具有梯形侧壁场板的SBD的肖特基接触电极与相近的芯片电极相连，欧姆接触电极与尾部的具有梯形侧壁场板的SBD的欧姆接触电极相连；和尾部具有梯形侧壁场板的SBD同一行的具有梯形侧壁场板的SBD的欧姆接触电极与相近的芯片电极相连，肖特基接触电极与首部具有梯形侧壁场板的SBD器件的肖特基接触电极相连。

2.如权利要求1所述的具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列，其特征为所述的Micro-LED器件中，上层n-GaN层的面积为下层n-GaN层的60～90％；上层n-GaN层的厚度为整体n-GaN层的20～80％；p-型欧姆电极的面积为电流扩展层面积的5～10％；n-型欧姆电极的面积为n-GaN层下层面积的5～10％。

3.如权利要求1所述的具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列，其特征为所述的具有梯形侧壁场板的SBD，最下面为本征GaN缓冲层，下层厚度为全部本征GaN缓冲层厚度的40～60％，欧姆接触电极的面积为n-GaN层面积的5～10％。

4.如权利要求1所述的具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-LED阵列，其特征为所述的阵列排布中，器件数量为n*m，n＝5～8，m＝5～8；器件之间的间隔为40～80μm。