[发明专利]一种Ge2 有效
| 申请号： | 202010154259.7 | 申请日： | 2020-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111333024B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李东方;袁艳萍;陈继民;张成宇;施承坤 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/46;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ge base sub | ||
1.一种Ge2Sb2Te5(GST)介质材料与金属材料的柱-球异质纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，样本准备:在基底表面沉积厚度为a的无定形GST薄层，并将样品固定在激光加工平台；a取值范围为50-1000nm；
步骤二，调节激光：使激光经物镜后垂直入射于样本表面，并使激光聚焦在样本表面；综合调节激光出光频率与激光加工台移动速度，以控制入射到样本表面的单位面积的脉冲个数；激光频率取值范围为100～1000Hz，激光加工台移动速度取值范围为1～4mm/s；
步骤三，纳米柱加工：综合调节加工平台运动速度与出光频率，调节激光脉冲能量在0.5～1.1倍的GST烧蚀阈值范围内，并使激光聚焦在样本表面，使激光垂直辐照步骤一制备的样本表面，在无定形GST样本表面形成晶态的GST区域，进一步将样本刻蚀，得到纳米柱阵列；
步骤四，金属薄膜沉积：采用物理气相沉积的方式在步骤三所得样本表面沉积金属薄膜；
步骤五，自组装工序：进一步将步骤四所得样本在退火炉中进行退火，以10℃-15℃/min升温至y℃，y为所述金属熔点的1～1.5倍，保温时间为30min～60min，使沉积的金属薄膜经去润湿工艺形成球型结构，得到GST纳米柱与金属球的异质结构所形成的阵列。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，激光为飞秒激光，所用聚焦镜为光为20X～100X,数值孔径0.4～1.4。
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