[发明专利]聚硅氧烷化合物及其制备方法和用途在审
| 申请号: | 202010153005.3 | 申请日: | 2020-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN111269424A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
| 发明(设计)人: | 任忠杰;罗伟东;闫寿科 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
| 主分类号: | C08G77/30 | 分类号: | C08G77/30;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人: | 樊耀峰 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚硅氧烷 化合物 及其 制备 方法 用途 | ||
本发明公开了一种聚硅氧烷化合物及其制备方法和用途。该聚硅氧烷化合物具有空穴传输基团和电子传输基团,因而具有双极性。
技术领域
本发明涉及一种聚硅氧烷化合物及其制备方法和用途。
背景技术
传统照明(例如钨丝灯泡、荧光灯等)不环保、使用寿命短、发光效率较为低下。OLED具有自发光、环境友好、节能等优点,能够解决传统照明所存在的问题。发红光和绿光的电致磷光聚合物基有机发光器件,在过去的十几年里取得了相当大的进展。由于缺乏合适的主体材料,蓝色电致磷光聚合物基有机发光器件的发展远不如红色和绿色。
目前,使用FIrpic作为掺杂剂的用于蓝色电致磷光OLED的低分子量主体材料已被广泛应用。例如,CN102439111A公开了一种咔唑系氧化膦化合物。与低分子量材料相比,高分子量的聚合物具有更好的机械强度、稳定性以及对基底的粘附性能,因而引起了更广泛的关注。CN105601813A公开了一种金刚烷改性聚乙烯基咔唑类高分子发光材料,虽然其热分解温度高达到410℃,但是乙烯基咔唑类聚合物电阻率较高,导致高开启电压。此外,共轭聚合物主体具有较低的三线态能。CN101278418A公开了一种用于空穴注入层的交联的聚硅氧烷,包含至少一个硅氧烷单元R-Y-SiO3/2,该硅氧烷单元包含至少一个芳族胺基(R)和至少一个二价有机基团(Y),该芳族胺基团包括咔唑基、取代的咔唑基、三芳基胺基和取代的三芳基胺基中的至少一个。该聚硅氧烷只具有给电子基团,属于空穴传输型。
双极性传输材料同时具有给电子基团和吸电子基团。与单电子或者单空穴主体材料相比,双极主体材料的电子和空穴可以更平衡地注入。通过将p型和n型基团连接到主体材料的框架中,发光层中的载流子注入/传输性质可以实现平衡。平衡电荷通量将导致在发光层内复合区域更宽。因此,人们更倾向于把注意力集中在具有小能带差值(ΔEST)的双极主体材料。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种聚硅氧烷,其具有双极性。进一步地,本发明的聚硅氧烷具有较高的HOMO能和较低的LUMO能,且HOMO与LUMO分布在不同的发光基团上,有利于空穴和电子的分别传输。更进一步地,本发明的聚硅氧烷热稳定性好,三线态能较高。
另一方面,本发明提供了一种聚硅氧烷的制备方法。
再一方面,本发明提供了一种聚硅氧烷在作为电致磷光器件主体材料的应用。
本发明通过如下技术方案实现上述技术目的。
一方面,本发明提供一种聚硅氧烷化合物,其具有如式(1)所示的结构:
其中,Hole表示空穴传输基团,Elec表示电子传输基团。
根据本发明的聚硅氧烷化合物,优选地,Hole选自咔唑基芳基、N,N-二芳基胺基芳基;Elec选自苯并咪唑基芳基、邻二氮杂菲基芳基、磷氧基芳基、吡啶基芳基。
根据本发明的聚硅氧烷化合物,优选地,Hole选自取代或未取代的咔唑基苯基,Elec选自取代或未取代的磷氧基苯基。
根据本发明的聚硅氧烷化合物,优选地,咔唑基芳基具有如式(a)或(b)所示的结构:
其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10和R11分别独立地选自氢原子、卤原子、氰基、硝基、具有6~50个碳原子的取代或未取代的芳基、具有5~50个碳原子的取代或未取代的杂芳基、具有1~20个碳原子的取代或未取代的烷基、具有3~20个碳原子的取代或未取代的环烷基;
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