[发明专利]碳化硅二极管芯片内专用保护电路在审

专利信息
申请号: 202010151663.9 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111404133A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 吕全亚;周琦;庄娟梅;郭建新;刘域庭;陈莉娜 申请(专利权)人: 常州佳讯光电产业发展有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H01L23/04;H01L23/367;H05K7/20
代理公司: 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 代理人: 何学成
地址: 213000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 二极管 芯片 专用 保护 电路
【权利要求书】:

1.碳化硅二极管芯片内专用保护电路,包括封装外壳(1)、位于封装外壳(1)内的一个或多个串联在一起的芯片(2)以及连接于封装外壳(1)两端的引线(3),其特征在于:所述芯片内设有碳化硅二极管(4)、保护电路(5),所述保护电路(5)包括电感(51)和电容(52),所述电感(51)和电容(52)串联形成的保护电路(5)与碳化硅二极管(4)并联。

2.如权利要求1所述的碳化硅二极管芯片内专用保护电路,其特征在于:所述保护电路(5)还包括与电容(52)并联的电阻(53),并联的电容(52)和电阻(53)与电感(51)串联。

3.如权利要求1所述的碳化硅二极管芯片内专用保护电路,其特征在于:所述电感(51)为刻画或印刷在芯片(2)上的蛇形引线。

4.如权利要求1或2所述的碳化硅二极管芯片内专用保护电路,其特征在于:所述碳化硅二极管(4)个数大于2时,相邻的碳化硅二极管(4)共阴设置或共阳设置;每个碳化硅二极管(4)分别与保护电路(5)并联,所述保护电路(5)为串联的电感(51)和电容(52)。

5.如权利要求4所述的碳化硅二极管芯片内专用保护电路,其特征在于:所述保护电路(5)包括电阻(53),所述电阻(53)与电容(52)并联后与电感(51)串联。

6.如权利要求2所述的封装内保护碳化硅二极管,其特征在于:所述碳化硅二极管(4)大于2个时,所述相邻碳化硅二极管(4)之间距离不小于3mm,所述芯片(2)与封装外壳(1)间的距离为0.5mm—5mm。

7.如权利要求1所述的封装内保护碳化硅二极管,其特征在于:所述电容(52)和电阻(53)为片状或印刷结构。

8.如权利要求1所述的封装内保护碳化硅二极管,其特征在于:所述的封装外壳(1)采用黑胶制成。

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