[发明专利]使用大规模 FET 阵列测量分析物的方法和装置

权利要求书

1.一种用于测量来自半导体装置的信号的方法，包括：

响应于选择信号，将串联连接的第一和第二化学敏感的场效应晶体管（chemFET）同时耦合到读出电路；

将第一chemFET偏置为饱和模式；

用漏极电压偏置第二chemFET，从而产生漏极引起的势垒降低或穿通；和

在不受到来自第二chemFET的信号的干扰的情况下，测量来自第一chemFET的信号。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

输出用于在耦合到第一chemFET的反应区域中发生的反应的信号。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在与第一chemFET耦合的反应区域中发生的反应是核苷酸掺入反应。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将第二chemFET偏置为饱和模式；

用漏极电压偏置第一chemFET，从而产生漏极引起的势垒降低或穿通；和

在不受到来自第一chemFET的信号的干扰的情况下，测量来自第二chemFET的信号。

5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一chemFET和所述第二chemFET各自耦合至相应的氢离子敏感层，还包括：

输出用于第一反应的第一信号，该第一反应在与第一chemFET耦合的氢离子敏感层的附近发生；和

输出用于第二反应的第二信号，该第二反应在与第二chemFET耦合的氢离子敏感层的附近发生。

6.根据权利要求5所述的方法，其中第一chemFET和第二chemFET的第一反应和第二反应分别是核苷酸掺入反应。

7.一种用于操作传感器装置的方法，包括：

由化学检测电路的行解码器产生行选择信号，其中化学检测电路包括化学传感器，该化学传感器包括：

串联连接的第一和第二化学敏感型场效应晶体管（chemFET）；和

第三FET，其操作为开关；所述第三FET与第一和第二chemFET串联连接；

向第三FET施加选择信号，以将第一和第二chemFET同时耦合到读出电路；

将第一chemFET偏置为饱和模式；和

通过施加产生漏极引起的势垒降低或穿通的漏极电压来屏蔽来自第二chemFET的信号。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在不受第二chemFET信号的干扰的情况下，测量在与第一chemFET耦合的氢离子敏感层附近发生的反应产生的信号。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在与所述第一chemFET耦合的氢离子敏感层附近发生的反应是核苷酸掺入反应。

10. 根据权利要求7所述的方法，还包括：

将第二chemFET偏置为饱和模式；和

通过施加产生漏极引起的势垒降低或穿通的漏极电压来屏蔽来自第一chemFET的信号。

11. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一chemFET和所述第二chemFET各自耦合至相应的反应区域，还包括：

输出发生在与第一chemFET耦合的反应区域中的第一反应的第一信号；和

输出发生在与第二chemFET耦合的反应区域中的第二反应的第二信号。

12.根据权利要求11所述的方法，其中第一chemFET和第二chemFET的第一反应和第二反应分别是核苷酸掺入反应。