[发明专利]一种肖特基半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010151123.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363330B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 林苡任;陈道坤;曾丹;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种肖特基半导体器件，其特征在于，包括：
位于衬底上的第一导电类型外延层；
位于所述第一导电类型外延层中的至少一个第二导电类型增强区，其中，所述第一导电类型外延层与所述第二导电类型增强区的多子导电类型互补；
位于所述第一导电类型外延层之上的纳米结构层；
位于所述纳米结构层之上且与其形成肖特基接触的肖特基金属；
所述纳米结构层中设置至少一个沟槽，每个所述沟槽在所述衬底上的正投影与对应的所述第二导电类型增强区在所述衬底上的正投影至少有部分重叠，且所述第二导电类型增强区的上表面至少有部分显露；
所述沟槽且填充有欧姆金属，所述欧姆金属还与所述第二导电类型增强区形成欧姆接触；
所述肖特基金属位于所述纳米结构层及所述欧姆金属之上；
所述欧姆金属的厚度等于所述纳米结构层的厚度，所述纳米结构层的厚度范围为20～40nm；
所述衬底的浓度为1×1019cm-3～5×1019cm-3；
所述第一导电类型外延层的浓度为5×1015cm-3～1×1016cm-3；
所述第二导电类型增强区的浓度为5×1019cm-3～1×1020cm-3；
所述纳米结构层材料的禁带宽度大于所述第一导电类型外延层材料的禁带宽度，所述纳米结构层为量子点结构层。
2.根据权利要求1所述的肖特基半导体器件，其特征在于，
所述量子点结构层包括柱形、球形或抛物线形量子点结构。
3.根据权利要求2所述的肖特基半导体器件，其特征在于，
所述衬底的材料包括硅、硅锗或碳化硅；
所述第一导电类型外延层的材料包括硅或碳化硅；
所述纳米结构层的材料为氮化镓；
所述欧姆金属的材料包括钛或铝；
所述肖特基金属的材料为铝。
4.一种肖特基半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上形成第一导电类型外延层；
在所述第一导电类型外延层上形成至少一个第二导电类型增强区，其中，所述第一导电类型外延层与所述第二导电类型增强区的导电类型互补；
在所述第一导电类型外延层之上形成纳米结构层；
在所述纳米结构层之上制备与其形成肖特基接触的肖特基金属；
在所述纳米结构层中制备至少一个沟槽，每个所述沟槽在所述衬底上的正投影与对应的所述第二导电类型增强区在所述衬底上的正投影至少有部分重叠，且所述第二导电类型增强区的上表面至少有部分显露；
在所述沟槽中制备欧姆金属，且让所述欧姆金属与所述第二导电类型增强区形成欧姆接触；
在所述纳米结构层及所述欧姆金属之上制备所述肖特基金属；
所述欧姆金属的厚度等于所述纳米结构层的厚度，所述纳米结构层的厚度范围为20～40nm；
所述衬底的浓度为1×1019cm-3～5×1019cm-3；
所述第一导电类型外延层的浓度为5×1015cm-3～1×1016cm-3；
所述第二导电类型增强区的浓度为5×1019cm-3～1×1020cm-3；
所述纳米结构层材料的禁带宽度大于所述第一导电类型外延层材料的禁带宽度，所述纳米结构层为量子点结构层。
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