[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极结构，设置在沟道区域上方；以及

源极/漏极区域，其中：

所述栅极结构包括：

栅极介电层，位于所述沟道区域上方；

第一功函调整层，位于所述栅极介电层上方；

第一屏蔽层，位于所述第一功函调整层上方；

第一阻挡层；和

金属栅电极层，

所述第一功函调整层包括铝，并且

所述第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，所述含铝层具有比所述第一功函调整层低的铝浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一功函调整层由选自由TiAl、TiAlC、TaAl、TaAlC和TiAlN组成的组中的一种制成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由TiN、TaN、TaTiN、WN、TiSiN、WCN和MoN组成的组中的至少一种制成。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由Si、Cr、Mo和Co组成的组中的至少一种制成。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由Si、Ti、Ta、Cr、Mo和Co组成的组中的至少一种的碳化物制成。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由Ti、Ta、Ni、W和Mo组成的组中的至少一种的硅化物制成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一功函调整层的原子百分比的铝含量为67％至86％，并且

所述第一屏蔽层的原子百分比的铝含量为30％至55％。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层是所述第一功函调整层的表面层，并且包括F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种。

9.一种半导体器件，包括：

第一场效应晶体管(FET)，包括设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构；以及

第二场效应晶体管，包括设置在第二沟道区域上方的第二栅极结构，

其中：

所述第一场效应晶体管是n型场效应晶体管，并且所述第二场效应晶体管是p型场效应晶体管，并且

所述第一栅极结构包括：

栅极介电层；

第一功函调整层，位于所述栅极介电层上方；

第一屏蔽层，位于所述第一功函调整层上方；

第一阻挡层；和

金属栅电极层，

所述第一功函调整层包括铝，

所述第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层中的至少一种制成，所述含铝层具有比所述第一功函调整层低的铝浓度。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在由半导体材料制成的沟道区域上方形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成第一功函调整层；

在所述第一功函调整层上方形成第一屏蔽层；

在所述第一屏蔽层上方形成金属栅电极层，

所述第一功函调整层包括铝，并且

所述第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，所述含铝层具有比所述第一功函调整层低的铝浓度。