[发明专利]非易失性存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器结构，其特征在于，包括：

基底；

多个电荷存储层，位于所述基底上，其中相邻两个电荷存储层之间具有开口；

第一介电层，位于所述多个电荷存储层上与所述开口的表面上，其中位于所述开口中的所述第一介电层的底部剖面轮廓为两侧凹陷的轮廓；以及

控制栅极，位于所述第一介电层上，且填入所述开口。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，还包括：

隔离层，位于相邻两个电荷存储层之间的所述基底中，其中所述开口位于所述隔离层上方，且所述开口底部的两侧低于所述隔离层的顶部。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器结构，其特征在于，所述隔离层的顶部高于所述多个电荷存储层的底部，在所述隔离层中具有气隙。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，当所述非易失性存储器结构包括多个所述控制栅极时，所述多个控制栅极在第一方向上延伸且在第二方向上排列，所述第一方向相交于所述第二方向，且相邻两个控制栅极之间具有沟渠。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器结构，其特征在于，还包括：

多个顶盖层，位于所述多个控制栅极上，其中所述多个顶盖层在所述第一方向上延伸，且在所述第二方向上排列，且所述沟渠位于相邻两个顶盖层之间。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器结构，其特征在于，还包括：

两个侧部结构，位于所述沟渠顶部的两侧壁上。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器结构，其特征在于，每个侧部结构具有相对的第一侧与第二侧，所述第一侧比所述第二侧更接近相邻的所述顶盖层，且所述第一侧的底部高于所述第二侧的底部。

8.根据权利要求4所述的非易失性存储器结构，其特征在于，还包括：

第二介电层，填入所述沟渠中。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器结构，其特征在于，在所述第二介电层中具有气隙。

10.一种非易失性存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成多个电荷存储层，其中相邻两个电荷存储层之间具有开口；

在所述多个电荷存储层上与所述开口的表面上形成第一介电层，其中位于所述开口中的所述第一介电层的底部剖面轮廓为两侧凹陷的轮廓；以及

在所述第一介电层上形成控制栅极，其中所述控制栅极填入所述开口。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器结构的制造方法，其特征在于，所述多个电荷存储层的形成方法包括：

在所述基底上形成栅介电材料层；

在所述栅介电材料层上形成电荷存储材料层；

在所述电荷存储材料层上形成硬掩膜层；以及

对所述硬掩膜层、所述电荷存储材料层、所述栅介电材料层与所述基底进行图案化处理，而形成图案化硬掩膜层、所述多个电荷存储层与多个栅介电层，且在所述基底中形成沟渠，其中所述沟渠延伸至相邻两个电荷存储层之间与所述图案化硬掩膜层中。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述沟渠中形成隔离层，其中所述开口位于所述隔离层上方，且所述开口底部的两侧低于所述隔离层的顶部。