[发明专利]金属-绝缘体-金属器件及其形成方法在审
申请号: | 202010147423.1 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN112331770A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 施启元;张凯峯;黄士芬;廖彦杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02;H01L23/26 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 绝缘体 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种金属-绝缘体-金属器件,包括:
衬底;
第一电极及第二电极,堆叠在所述衬底上方;
介电层,布置于所述第一电极与所述第二电极之间;以及
钛吸气层,安置于所述衬底上方且通过所述第一电极与所述介电层分离,其中所述钛吸气层具有比所述介电层更高的吸氢能力。
2.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,其中所述钛吸气层具有第一宽度,且所述第一电极具有基本上等于所述第一宽度的第二宽度。
3.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,更包括:
第一金属接点,电性耦接到所述第一电极;以及
第二金属接点,电性耦接到所述第二电极。
4.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,其中所述钛吸气层包括氧和钛,以及其中氧与钛的原子比小于50%。
5.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,其中所述第一电极在所述介电层上方。
6.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,更包括:
额外钛吸气层,安置于所述衬底上方且通过所述第二电极与所述介电层分离。
7.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,其中所述第一电极在所述介电层下方。
8.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属器件,其中所述钛吸气层具有比所述第一电极及所述第二电极更高的吸氢能力。
9.一种金属-绝缘体-金属器件,包括:
金属-绝缘体-金属堆叠,安置于衬底上,所述金属-绝缘体-金属堆叠包括第一电极层与第二电极层之间的介电层;
钛吸气层,与所述第一电极层接触且通过所述第一电极层与所述介电层分离;
其中所述钛吸气层具有比所述介电层更高的吸氢能力;以及
其中所述钛吸气层的厚度为所述第一电极层的厚度的至少20%。
10.一种形成金属-绝缘体-金属器件的方法,包括:
在衬底上方沉积底部电极层;
在所述底部电极层上方沉积介电层;
在所述介电层上方沉积顶部电极层;
在所述顶部电极层上方沉积第一钛吸气层;
图案化所述第一钛吸气层、所述顶部电极层以及所述介电层,以暴露出所述底部电极层的外围部分;以及
在所述衬底、所述第一钛吸气层以及所述底部电极层的所述外围部分上方沉积钝化层。
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