[发明专利]重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容

说明书

本公开涉及重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括第一导电类型的源极区和漏极区。MOSFET另外包括第二导电类型的主体区域，其中主体区域位于源极区和漏极区的至少一部分下方。MOSFET还包括第一导电类型的掩埋区，其中掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，其中掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来减小所述源极区和所述掩埋区之间的电容。

技术领域

该文献总体上但非限制性地涉及半导体器件，并且更具体地涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。

背景技术

无线通信系统使用射频(RF)开关将从一个或多个信号源接收的信号引导到这些系统的RF信号链中的电路。这样的RF开关可以例如通过控制(例如，禁止或启用)电路之间的RF信号的通过或耦合而用作信号网关。诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)之类的固态设备可以在某些无线通信系统中用作RF开关。与基于其他技术的RF开关相比，基于MOSFET的RF开关可以提供更快的开关时间，更高的可靠性以及相对较长的工作寿命。基于MOSFET的RF开关的性能可以通过开关传递的信号所经历的插入损耗，关闭开关时的输入-输出隔离以及将开关轻松集成到制造过程中来表征无线通信系统。

附图说明

图1示出了根据各种实施例的具有用于控制器件的截止电容的掺杂掩埋区的金属氧化物半导体场效应晶体管的示例的等距图。

图2A示出了根据各种实施例的具有用于控制器件的截止电容的掺杂掩埋区的金属氧化物半导体场效应晶体管的示例的截面图。

图2B示出了根据各种实施例的具有用于控制器件的截止电容的掺杂掩埋区的金属氧化物半导体场效应晶体管的示例的俯视图。

图3示出了根据各种实施例的用于制造具有掺杂的掩埋区以控制器件的截止电容的金属氧化物半导体场效应晶体管的过程的示例。

图4A、4B、4C和4D示出了根据各种实施例的在金属氧化物半导体场效应晶体管的制造中的示例性阶段的截面图，该金属氧化物半导体场效应晶体管具有用于控制器件的截止电容的掺杂掩埋区。

图5示出了根据各种实施例的用于操作具有掺杂的掩埋区以控制器件的截止电容的金属氧化物半导体场效应晶体管的过程的示例。

在不一定按比例绘制的附图中，相似的数字可以在不同的视图中描述相似的组件。具有不同字母后缀的相似数字可以表示相似组件的不同实例。附图通过示例而非限制的方式大体上示出了本文档中讨论的各种实施例。

具体实施方式

本公开内容尤其描述了一种可用作RF开关的MOSFET器件，并且该MOSFET器件包括半导体材料的重掺杂掩埋层。可以将直流电压施加到MOSFET的主体区域和掩埋层，以可控地减小MOSFET的截止电容，例如通过相对于掩埋层反向偏置主体区域以耗尽掩埋层与MOSFET的源极和漏极区之间的主体区域。与其他基于MOSFET的RF开关相比，减小的截止电容可以提供增强的输入/输出(I/O)隔离。该MOSFET器件与用于制造某些无线通信系统的组件的CMOS和BiCMOS工艺兼容，因此可以集成到这些制造工艺中，而不会显着增加成本或无需对常规MOSFET器件进行修改。

本公开的示例包括具有用于可控地减小截止电容的掺杂半导体材料的掩埋区(以下称为“掩埋区”)的MOSFET器件。MOSFET器件可以包括被掺杂为具有第一导电类型的源极和漏极区域。MOSFET器件还可包括具有第二导电类型的主体区域。掩埋区可以具有与源极和栅极区域相同的导电类型。还可例如通过选择掩埋区的掺杂剂浓度或掩埋区距源极区和漏极区的距离来配置掩埋区，以响应于或同时在主体区域和掩埋区域之间施加指示电压，减小MOSFET器件的截止电容。

本公开的其他示例包括结合有MOSFET器件的电路，以及用于制造和操作该电路或MOSFET器件的方法。