[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010143692.0 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111313227B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 梁栋;张成;翁玮呈;丁维遵;刘嵩 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括，
外延结构，包括第一反射层，有源层及第二反射层；
至少一个第一沟槽，形成在所述外延结构内，贯穿所述外延结构，将所述外延结构分成至少两个发光单元；
至少两个绝缘层，形成在所述第一沟槽内；
至少一个第一电极，形成在所述第一沟槽内，连接所述至少两个发光单元，且所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，以形成公共阳极；
至少两个第二电极，形成在所述第一反射层的背面上；
其中，每一所述发光子单元包括一发光孔，所述第一电极围绕在所述发光孔的外周；
其中，所述第一电极在所述第一沟槽内从所述外延结构的背面向所述外延结构的正面延伸，位于所述外延结构正面的部分所述第一电极与所述第二反射层连接；
其中，位于所述外延结构背面的部分所述第一电极与位于所述外延结构背面上的部分所述绝缘层接触。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，部分所述绝缘层位于所述第一反射层的背面上，部分所述绝缘层位于所述第二反射层上，部分所述绝缘层位于所述第一沟槽的侧壁上。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述发光单元内还包括第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第二反射层及有源层，暴露出所述第一反射层。
4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，部分所述绝缘层形成在所述第二沟槽内，部分所述第一电极形成在所述第二沟槽内。
5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极沿着所述第二沟槽向两侧的所述发光子单元延伸，并覆盖部分所述绝缘层与所述第二反射层连接。
6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括透明衬底，所述透明衬底位于所述外延结构的正面上，所述透明衬底通过多个粘结材料设置在所述外延结构的正面上。
7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述多个粘结材料位于所述第一电极上，且所述多个粘结材料的长度小于或等于所述第一电极的长度。
8.一种垂直腔面发射激光器的制造方法，其特征在于，包括，
形成一外延结构，所述外延结构包括第一反射层，有源层及第二反射层；
形成至少一个第一沟槽于所述外延结构内，所述第一沟槽贯穿所述外延结构，以将所述外延结构分成至少两个发光单元；
形成至少两个绝缘层于所述第一沟槽内；
形成至少一个第一电极于所述第一沟槽内，以连接所述至少两个发光单元，且所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，以形成公共阳极；
形成至少两个第二电极于所述第一反射层的背面上；
其中，每一所述发光子单元包括一发光孔，所述第一电极围绕在所述发光孔的外周；
其中，所述第一电极在所述第一沟槽内从所述外延结构的背面向所述外延结构的正面延伸，位于所述外延结构正面的部分所述第一电极与所述第二反射层连接；
其中，位于所述外延结构背面的部分所述第一电极与位于所述外延结构背面上的部分所述绝缘层接触。
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