[发明专利]晶圆载置装置在审
申请号: | 202010143272.2 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111653514A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 伊藤丈予 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋春华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆载置 装置 | ||
本发明提供晶圆载置装置。静电卡盘加热器(10)具备:在上表面具有晶圆载置面(20a)且内置有加热电极(22)及静电电极(25)的陶瓷板(20);以及配置于陶瓷板(20)的与晶圆载置面(20a)相反的一侧的下表面(20b),且冷却陶瓷板(20)的冷却板(40),在冷却板(40),遍及配置有陶瓷板(20)的整个区域设有制冷剂流路(50),制冷剂流路(50)为上层流路(52)与下层流路(58)的两层构造。
技术领域
本发明涉及晶圆载置装置。
背景技术
作为晶圆载置装置,已知如下的装置,其具备在上表面具有晶圆载置面的陶瓷板、和配置于陶瓷板的与晶圆载置面相反的一侧的下表面且具有制冷剂流路的冷却板。冷却板内的制冷剂流路通常为单层。作为制冷剂流路不是单层的技术,例如,在专利文献1公开了如下静电卡盘:陶瓷板具有静电电极及加热电极,冷却板具有加热用的护套电极和在其上下设置的制冷剂流路。在该静电卡盘中,在使晶圆升温时,使护套电极发热,使制冷剂流通于下层的制冷剂流路,从而适度地进行静电卡盘的散热,实现静电卡盘整体的温度的稳定化。另一方面,在使晶圆降温时,使护套电极的发热停止,使制冷剂流通于上层的制冷剂流路,从而能够迅速冷却晶圆,提高降温特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-6768号公报
发明内容
但是,在制冷剂流路为单层的情况下,由于在入口侧和出口侧制冷剂存在温度差等,因此有时晶圆的均热性低。另外,在专利文献1中,冷却板具有比冷却板主体热传导性低的护套电极,因此有时冷却效率低。另外,由于具有护套电极的部分和不具有护套电极的部分的散热差异,有时晶圆的均热性低。
本发明为了解决这样的课题而做成,其主要目的在于提高晶圆的均热性及冷却效率。
本发明的晶圆载置装置具备:
陶瓷板,其在上表面具有晶圆载置面,内置有静电电极及加热电极的至少一方;以及
冷却板,其配置于上述陶瓷板的与上述晶圆载置面相反的一侧的下表面,且冷却上述陶瓷板,
在上述冷却板设有制冷剂流路,上述制冷剂流路的至少一部分为相距上述晶圆载置面的距离不同的上下两层以上的多层构造。
在该晶圆载置装置中,设于冷却板的制冷剂流路的至少一部分为上下两层以上的多层构造,因此相比单层的情况,流路配置的变化更丰富,对于仅利用一层不能充分冷却的部分的冷却能够通过另一层补充。另外,冷却板并非使陶瓷板升温,而是进行冷却,因此,无需引用文献1那样的护套电极。因此,能够提高晶圆的均热性及冷却效率。
此外,在本说明书中,“上”“下”并非表示绝对的位置关系,而是表示相对的位置关系。因此,根据晶圆载置装置的朝向,“上”“下”成为“左”、“右”,或者成为“前”、“后”。
在本发明的晶圆载置装置中,也可以是,上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层的流路间距离、流路宽度以及流路截面积中的一个以上相比远离上述陶瓷板的层更小。制冷剂流路中的靠近陶瓷板的层容易影响晶圆的温度,因此适于温度的微调整。因此,如果缩小靠近陶瓷板的层的制冷剂流路的流路间距离、流路宽度、流路截面积中的一个以上,则能够容易地对温度进行微调整,进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中,也可以是,上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层独立设置于将上述冷却板分割成多个而得到的每个区。若制冷剂流路在每个区独立设置,则能够对每个区分别地调整温度。特别是由于适于温度的微调整的靠近陶瓷板的层的制冷剂流路在每个区独立,因此容易对温度进行微调整,能够进一步提高晶圆的均热性。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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