[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成一硬遮罩层于一半导体基底之上；

刻蚀所述硬遮罩层以形成多个第一遮罩图案和多个第二遮罩图案；

将所述第一遮罩图案和所述第二遮罩图案转移至所述半导体基底以形成多个半导体区块；

薄化所述第二遮罩图案，其中在薄化所述第二遮罩图案之后，所述第二遮罩图案的厚度小于所述第一遮罩图案的厚度；

形成一第一盖层横向延伸于所述第一遮罩图案和所述第二遮罩图案之上；以及

刻蚀所述第一盖层和所述第二遮罩图案以形成多个接触开口。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一图案化层于所述硬遮罩层之上，其中所述图案化层包括多个第三遮罩图案和多个第四遮罩图案，其中所述第三遮罩图案的厚度大于所述第四遮罩图案的厚度，且所述第三遮罩图案与所述第四遮罩图案由不同材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，形成所述图案化层的步骤包括：

形成一半导体层于所述硬遮罩层之上；

图案化所述半导体层，以形成所述第三遮罩图案；

形成一顺应层沿着所述第三遮罩图案和所述硬遮罩层；

形成一填充层于所述第三遮罩图案之间的所述顺应层之上；

移除所述顺应层未被所述填充层覆盖的部分；以及

移除所述填充层，从而留下所述顺应层作为所述第四遮罩图案。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一字线于所述半导体区块之间的一沟槽的一下部，其中所述第一盖层形成以填入所述沟槽的一上部。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，所述第一盖层包括延伸于所述第一遮罩图案和所述第二遮罩图案之上的一水平延伸部，所述水平延伸部具有交替的凸凹轮廓。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，所述第一盖层的所述水平延伸部具有对应于所述第一遮罩图案的多个凸部以及对应于所述第二遮罩图案的多个凹部。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一第二盖层横向延伸于所述第一盖层之上，其中所述第二盖层顺形于所述第一盖层，以具有交替的凸凹轮廓，所述第二盖层具有对应于所述第一遮罩图案的多个第二凸部，且所述第二凸部中的相邻两个的上缘彼此靠近以形成具有向上渐缩轮廓的一空隙，且其中刻蚀所述第一盖层的步骤包括：刻蚀所述第二盖层以形成所述接触开口；以及

形成一接触插塞于所述接触开口中。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：

移除所述第一盖层高于所述第一遮罩图案的部分，以暴露出所述第一遮罩图案；以及

形成一位线于所述第一遮罩图案和所述接触插塞之上。

9.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：

一半导体基底的一主动区，包括一第一半导体区块；

一字线，设置于所述半导体基底中相邻所述第一半导体区块；

一遮罩图案，设置于所述第一半导体区块之上；以及

一盖层，设置于所述遮罩图案旁边且设置于所述半导体基底中以抵接所述字线，其中所述盖层的上表面与所述遮罩图案的上表面大致齐平。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述主动区包含一第二半导体区块，且所述半导体存储器结构，还包括：

一接触插塞，埋置于所述盖层中且设置于所述第二半导体区块之上。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述遮罩图案的上表面与所述接触插塞的上表面大致齐平。