[发明专利]一种Micro-LED器件、检测方法和显示面板

说明书

本发明公开一种Micro‑LED器件、检测方法和显示面板，Micro‑LED器件包括：衬底以及位于衬底的第一表面上的第一驱动电路、第二驱动电路、驱动阵列和由多个Micro‑LED颗粒组成的Micro‑LED阵列；第一驱动电路和第二驱动电路均与驱动阵列连接；驱动阵列用于承载Micro‑LED阵列，并与Micro‑LED颗粒连接；第一驱动电路和第二驱动电路设置于驱动阵列的外围，第一驱动电路至驱动阵列的距离大于第二驱动电路至驱动阵列的距离。在检测时，通过对第一驱动电路施加电信号，进而使得驱动阵列驱动各Micro‑LED颗粒发光，在检测完成后切除第一驱动电路所在的部分，保留第二驱动电路、驱动阵列和Micro‑LED阵列所在的部分，从而避免了检测过程对Micro‑LED器件造成的污染，同时，提高了检测效率，降低了Micro‑LED颗粒的受损风险。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED器件、检测方法和显示面板。

背景技术

Micro-LED是一种薄膜化、阵列化、微小化的LED，相比与传统的LED，具有尺寸小、功耗低、亮度高等优点，因而获得广泛的关注，并被期望应用于诸如穿戴显示、大屏显示、无线光通信等领域。为了获得质量高、可靠性好的Micro-LED阵列，必须对其进行检测，以保证Micro-LED能够批量化生产。

目前针对Micro-LED的检测分为封装前的晶圆级检测和封装后的成品级检测。所谓晶圆级检测就是在晶圆未切割封装前，对晶圆上的单颗Micro-LED进行检测。

封装前检测而言，目前存在常规电学方法、四探针法、光致电流法等。四探针法是通过探针给Micro-LED注入电流并获得电压电流的关系来检测Micro-LED的相关参数。采用四探针法不仅探针会有损伤，还会对Micro-LED造成损伤，且效率较低。光致电流法是一种非接触式的方法，利用PN结的光生伏特效应来检测Micro-LED的工作状态，装置较为复杂，且容易出现漏检。常规电学方法通过对Micro-LED通电使其发光来进行检测，能够找出更多缺陷，因此，该方法成为Micro-LED的常用检测方法。但是，电学方法为接触式的方式，容易造成晶圆的污染。

发明内容

本发明实施例了一种Micro-LED器件、检测方法和显示面板，能够避免对Micro-LED器件造成污染，提高检测效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种Micro-LED器件，包括：衬底以及位于所述衬底的第一表面上的第一驱动电路、第二驱动电路、驱动阵列和由多个Micro-LED颗粒组成的Micro-LED阵列；

所述第一驱动电路和所述第二驱动电路均与所述驱动阵列连接；

所述驱动阵列用于承载所述Micro-LED阵列，并与所述Micro-LED颗粒连接；

所述第一驱动电路和所述第二驱动电路设置于所述驱动阵列的外围，所述第一驱动电路至所述驱动阵列的距离大于所述第二驱动电路至所述驱动阵列的距离。

可选的，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路分别位于所述驱动阵列相邻的两侧。

可选的，所述衬底上设置有切割标记；

所述切割标记的连线围成保留区域，所述第二驱动电路和所述驱动阵列位于所述保留区域内，所述第一驱动电路位于所述保留区域外。

可选的，所述衬底的第二表面安置在底座上，所述第二表面与所述第一表面相对设置；

所述底座与所述第二驱动电路连接，所述底座用于连接外部电路。

可选的，其特征在于，所述驱动阵列包括多条扫描线和多条数据线；

所述扫描线沿第一方向延伸，所述数据线沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直；