[发明专利]一种封装构件及其制备方法有效
申请号: | 202010141451.2 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN111341739B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 张正 | 申请(专利权)人: | 深圳市法本电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 长沙柳腾知识产权代理事务所(普通合伙) 43267 | 代理人: | 杨佳 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 构件 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种封装构件及其制备方法,该方法包括以下步骤:提供一散热基板,对所述散热基板的所述第二表面进行刻蚀以形成多个凹孔;接着在所述散热基板的所述第一表面上形成绝缘层和电路布线层;在所述电路布线层上安装多个半导体元件和多个导电引脚;形成封装胶体;在所述封装胶体的四周形成多个间隔设置的穿孔,所述穿孔贯穿所述封装胶体;提供多个金属导电柱,接着在每个所述金属导电柱的侧面均形成多个贯穿所述金属导电柱的通孔,将多个所述金属导电柱分别嵌入到相应的所述穿孔中,接着对所述封装胶体进行热压合工艺,以使得部分的封装胶体嵌入到所述金属导电柱的所述通孔中。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种封装构件及其制备方法。
背景技术
常规的半导体封装构件的制造过程中,半导体元件通过焊接材料电连接到封装基板。半导体元件放置在封装基板上并对准放置位点,使得焊球对准基板上的接垫。然后利用回流焊工艺以固定连接半导体元件与封装基板。对于半导体封装构件,有电气性能和散热控制两大挑战。特别是在散热控制的方面,则要求半导体封装构件能有效消散由半导体元件产生的热。通常会利用导热胶将散热器黏贴在基板和芯片上。但是常规的半导体封装构件的散热能力有限,因此,有必要在该技术领域中提供一种具有更好散热效能的半导体封装构件。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种封装构件及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提出的一种封装构件的制备方法,包括以下步骤:
1)提供一散热基板,所述散热基板具有相对的第一表面和第二表面;
2)对所述散热基板的所述第二表面进行刻蚀以形成多个凹孔;
3)接着在所述散热基板的所述第一表面上形成绝缘层;
4)接着在所述绝缘层上形成电路布线层;
5)在所述电路布线层上安装多个半导体元件和多个导电引脚;
6)将安装有所述半导体元件和所述导电引脚的散热基板置于模具中,所述散热基板的所述第二表面紧贴所述模具的模具腔的底面,接着向所述模具腔注入封装树脂材料以形成封装胶体;
7)接着在所述封装胶体的四周形成多个间隔设置的穿孔,所述穿孔贯穿所述封装胶体;
8)提供多个金属导电柱,接着在每个所述金属导电柱的侧面均形成多个贯穿所述金属导电柱的通孔;
9)接着将步骤8)得到的多个所述金属导电柱分别嵌入到相应的所述穿孔中,接着对所述封装胶体进行热压合工艺,以使得部分的封装胶体嵌入到所述金属导电柱的所述通孔中。
作为优选,在所述步骤1)中,所述散热基板为金属基板或陶瓷基板。
作为优选,在所述步骤2)中,多个所述凹孔呈阵列排布,所述凹孔的直径为100-400微米。
作为优选,在所述步骤3)中,所述绝缘层为氧化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝、有机复合材料中的一种或多种。
作为优选,在所述步骤4)中,在所述绝缘层上形成电路布线层的具体工艺为:在所述绝缘层上沉积导电金属层,然后通过光刻工艺形成所述电路布线层。
作为优选,在所述步骤7)中,通过切割工艺或激光烧蚀工艺形成所述穿孔。
作为优选,在所述步骤8)中,所述金属导电柱的材料为铜、铝或不锈钢。
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