[发明专利]柱状阵列多孔表面结构、制备方法及其射流相变冷却方法有效

专利信息
申请号: 202010140407.X 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN111343836B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 白博峰;陈铁烽 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 柱状 阵列 多孔 表面 结构 制备 方法 及其 射流 相变 冷却
【权利要求书】:

1.一种柱状阵列多孔表面结构的射流相变冷却方法,其特征在于,基于一种柱状阵列多孔表面结构;所述柱状阵列多孔表面结构的制备方法,包括:在真空条件下,将铜粉颗粒铺到具有凹穴阵列的模具上,以10℃/分钟的速率将炉内温度从室温加热到800±10℃后进行真空烧结2h;烧结结束后自然冷却到室温,将烧结好的铜粉颗粒烧结物取下就得到表面具有柱状阵列的多孔介质热沉,以表面具有柱状阵列的多孔介质热沉作为柱状阵列多孔表面结构的换热板(2);在换热板上设置射流板(1),构成柱状阵列多孔表面结构;铜粉颗粒的粒径为100nm~1μm;射流板(1)上开设有若干圆形射流孔(10),直径为D_in;换热板(2)相对射流板(1)的表面设有若干微柱(21)构成的柱状阵列;射流板(1)距离微柱(21)上表面的间距为H;换热板(2)的总厚度为Hr;射流孔(10)的直径D_in为2.0mm,入口间距H为0.5mm;微柱(21)的直径为20μm,微柱(21)高度为50μm,微柱(21)间距d为40μm;所述凹穴阵列的模具为具有凹穴阵列的单晶硅片;

所述射流相变冷却方法包括:

以去离子水为工质,大气压力下,进流过冷度为30K,流量为20L/h,控制工质通过射流孔射流到换热板的具有柱状阵列的多孔介质表面,进行射流相变冷却,临界热流密度为548W/cm2

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