[发明专利]一种APD保护装置

说明书

本申请实施例公开了一种APD保护装置，包括：保护电路和APD芯片；其中，所述保护电路包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻；所述第一三极管连接在所述第一电阻和所述APD芯片之间，所述第二三极管与所述第一电阻并联，所述第三三极管与所述第二三极管串联，且所述第三三极管的基极与所述第一三极管的基极连接，所述第三三极管的漏极通过第二电阻接地；所述第二三极管用于控制所述第一电阻上的压降，所述第三三极管用于控制所述第一三极管的基极电压，以使所述APD芯片的光生电流控制所述第一三极管的关断。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种APD保护装置。

背景技术

在长距离通信时，使用的光模块具有发射光功率大，接收灵敏度高的特点。光模块的接收端在采用雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode，APD)工作时需要加反向高压，APD工作在高压环境，且增益较大，APD电流会随着输入光功率的变化而变化；当输入光功率越大，其APD电流越大；但当输入光功率超出APD工作范围后，其APD可能会因为电流过大而被烧毁。因而，在APD的使用中需要加以保护。

在实际工程使用中，通常通过外置电路来对APD进行保护，该外置电路的保护方法为：将高光功率输入导致的电压或电流的异常反馈至控制器，控制器检测到异常后，发送控制指令降低或关闭APD的电压输入。但是这种通过控制器进行反馈的方法中的反馈信号需要经过控制器检测、判断以及输出控制指令等过程，从而导致其反馈速度以及响应速度很慢(通常是ms级)，这样的反馈速度和响应速度足于导致APD损坏，因此应用场景十分有限。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种APD保护装置。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种APD保护装置，包括：保护电路和APD芯片；其中，

所述保护电路包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻；所述第一三极管连接在所述第一电阻和所述APD芯片之间，所述第二三极管与所述第一电阻并联，所述第三三极管与所述第二三极管串联，且所述第三三极管的基极与所述第一三极管的基极连接，所述第三三极管的漏极通过第二电阻接地；

所述第二三极管用于控制所述第一电阻上的压降，所述第三三极管用于控制所述第一三极管的基极电压，以使所述APD芯片的光生电流控制所述第一三极管的关断。

在一种可选的实施方式中，所述APD芯片的光生电流控制所述第一三极管的关断，包括：

所述APD芯片的光生电流小于等于APD电流阈值的情况下，所述第一电阻上的压降小于所述第二三极管的导通电压，所述第一三极管为导通状态；

所述APD芯片的光生电流大于所述APD电流阈值的情况下，所述第一电阻上的压降大于所述第二三极管的导通电压，所述第一三极管为截止状态；

其中，所述第一三极管、所述第二三极管和所述第三三极管的导通电压相等。

在一种可选的实施方式中，所述APD电流阈值为根据所述第一三极管的导通电压与所述第一电阻的阻抗值计算得到的。

在一种可选的实施方式中，所述第二三极管的基极和集电极相连，所述三三极管的基极和集电极相连。

在一种可选的实施方式中，还包括：过渡块；其中，

所述保护电路和所述APD芯片均设置在所述过渡块上。

在一种可选的实施方式中，还包括：管壳；其中，

所述保护电路、所述APD芯片和所述过渡块均封装在所述管壳内。