[发明专利]切割芯片接合薄膜在审
| 申请号： | 202010139705.7 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111647364A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;杉村敏正;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;C09J7/29;C09J7/30;C09J133/08;C09J11/04;C09J11/08;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，及
芯片接合薄膜，以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，
所述切割带中的所述粘合剂层侧的表面在对SUS平面在-15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带在对宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距离100mm、-15℃、及拉伸速度200mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中，在应变值30％时产生的拉伸应力为50N/20mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层在-15℃下的储能模量为0.1MPa以上。
4.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层在-15℃下的储能模量为100MPa以下。
5.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层含有玻璃化转变温度为-40℃以下的聚合物。
6.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层含有丙烯酸系聚合物及异氰酸酯系交联剂。
7.根据权利要求6所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层中的异氰酸酯系交联剂的含量相对于丙烯酸系聚合物100质量份为0.1质量份以上。
8.根据权利要求6所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层中的异氰酸酯系交联剂的含量相对于丙烯酸系聚合物100质量份为2质量份以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010139705.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：堆叠状的高截止的III-V族功率半导体二极管
- 下一篇：天线结构
