[发明专利]一种用于检测扑尔敏用途的人工智能生物传感器检测方法有效

专利信息
申请号: 202010139603.5 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN113340965B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 吴志生;马丽娟 申请(专利权)人: 北京中医药大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 范盈
地址: 102488 北京市房*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 检测 扑尔敏 用途 人工智能 生物 传感器 方法
【说明书】:

发明提供一种人工智能生物传感器检测方法在检测扑尔敏用途中的应用,其特征在于,所述人工智能生物传感器是以AlGaAs/GaAs HEMT器件为换能器,分别以修饰在HEMT器件上的Syk蛋白和MIF蛋白为识别原件,通过自组装单层,分别构建包括Syk‑AlGaAs/GaAs HEMT和MIF‑AlGaAs/GaAs HEMT两个生物传感器,用于辨识扑尔敏对Syk和MIF的潜在抑制作用,该方法灵敏度高,检测浓度低至0.1pM,检测范围涵盖5‑10个数量级,为扩大扑尔敏片的适应症提供了数据支撑。

技术领域

本发明属于药学领域,具体涉及一种人工智能生物传感器检测方法在检测扑尔敏用途中的应用方法。

背景技术

伴随着人类疾病谱的不断变化、疾病机制的清晰化以及医疗理念的综合化,药物数据库也亟待更新。然而新药研发投入大,产出小,成功率不到10%,老药新用、一药多用等药物治疗领域的进步推动了许多医生的临床安全有效用药。FDA在过去几十年正式批准了不少老药新用的例子,如常规消炎镇痛药阿司匹林被确证可稀释血液、防止血栓形成和降低脑卒中发生率;甲氧卞氧嘧啶从肺炎治疗药物被批准用于治疗艾滋病;又如米非司酮,获准用于治疗重症精神病性抑郁症。

随着对靶点和疾病作用机制了解的深入,借助以靶点为载体的生物传感技术为老药新用研究提供了关键技术支撑。高电子迁移率晶体管(High Electron MobilityTransistor,HEMT)生物传感器以其压电极化和自发极化等电学特性,借助镶嵌在其表面的生物膜门电极,使其在二元界面上产生高的电子迁移率和二维电子气密度(2DEG),从而使得对外加应力极其敏感。其以灵敏度高和专属性强等优势为药物用途的发现提供技术支撑。

过敏性疾病威胁着全球30-40%人口的生活质量。调查结果表明,全世界约有3亿人患有哮喘,超过5亿人患有变应性鼻炎,湿疹及特异性皮炎患者约有4亿人,已成为临床上亟待攻克的关键难题之一。研究发现脾络氨酸激酶(Syk)和巨噬细胞游走抑制因子(MIF)为过敏性疾病相关的重要载体。氯苯那敏为烃胺类H1受体拮抗药,主要能竞争性阻断变态反应靶细胞上组胺H1受体,使组胺不能与H1受体结合,但不影响组胺的代谢及释放,具有很好的抗过敏疗效。但其仅被作为H1受体阻断剂,其他治疗用途研究较少。

发明内容

为了克服现有技术的缺点与不足,扩大扑尔敏片的适用范围,本发明的首要目的在于提供一种人工智能生物传感器检测方法在检测扑尔敏用途中的应用方法,为扩大扑尔敏片适应症提供数据支撑。

一种人工智能生物传感器检测方法在检测扑尔敏用途中的应用,包括Syk-AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器的制备及其在检测扑尔敏结合Syk中的应用和MIF-AlGaAs/GaAs HEMT生物传感器的制备及其在检测扑尔敏结合MIF中的应用。

本发明包括一种用于检测扑尔敏结合Syk的Syk-AlGaAs/GaAs HEMT人工智能生物传感器的制备,包括以下步骤:

(1)以AlGaAs/GaAs HEMT半导体材料为载体,采用探针平台和电化学工作站,测定AlGaAs/GaAs HEMT器件各通道的源、漏极电流(IDS)和电压(VDS)变化曲线(IDS-VDS),判断比较各通道性能,选择半导体性能优良的通道作为测试用通道;

(2)在干净的AlGaAs/GaAs HEMT器件上粘上一个样品管,向样品管中加入3-巯基丙酸(3-MPA)溶液,于室温下反应24小时,在AlGaAs/GaAs HEMT器件表面生成Au-S键,形成自组装单层;

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