[发明专利]低深宽比的单质量块三轴MEMS惯性加速度计及其制备方法有效
| 申请号: | 202010135345.3 | 申请日: | 2020-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN111289772B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 赵成;杨义军;朱骏;郭鹏飞;王健 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
| 主分类号: | G01P15/125 | 分类号: | G01P15/125;G01P15/18;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 董旭东;陈栋智 |
| 地址: | 225000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低深宽 单质 量块 mems 惯性 加速度计 及其 制备 方法 | ||
1.一种低深宽比的单质量块三轴MEMS惯性加速度计,其特征在于,包括自下而上依次键合的底板(1)、空腔结构层(2)、质量块与悬臂梁结构层(3)、顶板(4);
所述底板(1)包括底板基板(11)、对称设置于底板基板顶面中部的4个底电容下电极(12)、对称设置于底板基板顶面四边的4个底电容输出电极(13)、分别设置于各个底电容下电极和对应的底电容输出电极之间的4个底电容下电极引出导线(14)和设置于底板基板顶面并覆盖于各个底电容输出电极(13)之上的底板键合环(15);
所述空腔结构层(2)包括空腔基板(21)、贯穿空腔基板(21)中部的倒正四棱台形空腔(22)和覆盖空腔基板(21)顶面四边的空腔基板键合环(23);
所述质量块与悬臂梁结构层(3)包括倒正四棱台形质量块(31)、4个叉形悬臂梁(32)、悬臂梁固支边框(33)、覆盖质量块(31)底面的底电容上电极(34)、分别设置于质量块(31)各个侧面中部的4个底电容上电极引出电极(35)和4组底电容上电极引出导线(36)、覆盖于质量块(31)顶面、各个叉形悬臂梁(32)顶面和悬臂梁固支边框(33)顶面的接地电极(37);
所述顶板(4)包括顶板基板(41),位于顶板基板底面中部的正四棱台形顶板空腔(42)和覆盖顶板基板(41)底面四边的顶板键合环(43);
所述底板(1)与空腔结构层(2)通过底板键合环(15)键合,所述空腔结构层(2)与悬臂梁固支边框(33)通过空腔基板键合环(23)键合,各个悬臂梁悬置于空腔(22)之上并使质量块(31)悬置于空腔(22)之中,所述悬臂梁固支边框(33)与顶板(4)通过顶板键合环(43)键合,最终形成一个气密封闭结构。
2.根据权利要求1所述的低深宽比的单质量块三轴MEMS惯性加速度计,其特征在于,所述底板基板(11)为正方形截面基板,相应地,所述底板键合环(15)为内方外方的矩形环;
所述4个底电容下电极(12)为同形的正方形电极,所述4个底电容输出电极(13)为同形的长方形电极;
所述4个底电容下电极引出导线(14)为同形的长条形导线,分别连接1个底电容下电极(12)与1个底电容输出电极(13),所述底电容下电极引出导线(14)的宽度足够小使得当各个底电容下电极(12)相对于底电容上电极(34)作面内水平偏移时,底电容上电极(34)与底电容下电极引出导线(14)重叠部分所形成电容的电容值相对于各个底电容的电容值可以忽略;
所述底板键合环(15)环绕于4个底电容下电极(12)的外侧,所述底板键合环(15)与空腔基板(21)的底面全等同形,其内边缘与各个底电容输出电极(13)的内端平齐。
3.根据权利要求1所述的低深宽比的单质量块三轴MEMS惯性加速度计,其特征在于,所述空腔基板(21)为内方外方截面的厚基板,相应地,所述空腔基板键合环(23)为内方外方的矩形环。
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