[发明专利]一种显示装置

说明书

本发明公开了一种显示装置，包括：衬底基板，具有承载作用；量子点发光二极管器件，位于衬底基板上；电介质层，位于量子点发光二极管器件背离衬底基板一侧的表面，用于增强量子点发光二极管器件向背离衬底基板一侧的出射光线的透过率。本发明提供的QLED器件为顶发射结构，为了提高顶发射器件的出光效率，在QLED器件的出光侧设置了电介质层，电介质层由透明材料制作而成，且电介质层的折射率与厚度满足增强QLED器件出射光透过的条件，由此可以提高QLED器件出光侧的透过率，从而提升QLED器件的出光效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

量子点发光材料具有发光光谱可调节、发光色纯度高、光化学稳定性及热稳定性好等特点，目前已经被广泛应用在新型显示领域。而以量子点材料为发光材料的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)，相比于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有更宽的色域、更高的显色指数、更好的溶液加工性能等特性，因此在显示领域的应用前景十分巨大。

目前，QLED的外量子效率已经接近当前性能最好的OLED。但是QLED显示装置通常以底发射结构为主，这就意味着光需要透过衬底上的驱动电路向外出射，若采用较为复杂的有源驱动矩阵，开口率势必会降低，要达到相等的显示亮度则需要增加工作电压来提升亮度，这对器件的寿命等不利。

发明内容

本发明提供了一种显示装置，具有顶发射结构，且具有较高的出光效率。

本发明提供一种显示装置，包括：

衬底基板，具有承载作用；

量子点发光二极管器件，位于所述衬底基板上；

电介质层，位于所述量子点发光二极管器件背离所述衬底基板一侧的表面，用于增强量子点发光二极管器件向背离所述衬底基板一侧的出射光线的透过率。

在本申请一些实施例中，在本发明提供的上述显示装置中，所述电介质层包括：至少一层第一有机电介质层和至少一层第一无机电介质层；所述第一有机电介质层和所述第一无机电介质层交替设置。

在本申请一些实施例中，在本发明提供的上述显示装置中，所述电介质层包括两层所述第一有机电介质层和一层所述第一无机电介质层；

所述第一无机电介质层位于两层所述第一有机电介质层之间。

在本申请一些实施例中，在本发明提供的上述显示装置中，所述第一有机电介质层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺；

所述第一无机电介质层的材料为三氧化钼。

在本申请一些实施例中，在本发明提供的上述显示装置中，所述第一有机电介质层的厚度为10nm，所述第一无机电介质层的厚度为10nm。

在本申请一些实施例中，在本发明提供的上述显示装置中，所述量子点发光二极管器件包括：

底电极，位于所述衬底基板上；

电子传输层，位于所述底电极背离所述衬底基板的一侧；

量子点层，位于所述电子传输层背离所述底电极的一侧；

空穴传输层，位于所述量子点层背离所述电子传输层的一侧；

空穴注入层，位于所述空穴传输层背离所述量子点层的一侧；

顶电极，位于所述空穴注入层背离所述空穴传输层的一侧。

在本申请一些实施例中，在本发明提供的上述显示装置中，所述空穴注入层包括：第二有机电介质层和第二无机电介质层；