[发明专利]一种薄膜体电极的制作方法及薄膜

说明书

一种薄膜体电极的制作方法，包括以下步骤：将薄膜放置在衬底上；通过磁控溅射将导电材料注入到薄膜两端形成薄膜体电极；通过快速退火工艺优化薄膜体电极与薄膜之间的接触。本发明通过磁控溅射可以使导电材料进入到薄膜的两端，并在薄膜的两端形成体电极，然后通过快速退火工艺可以使形成的体电极和薄膜良好结合。采用这种方式形成的带有体电极的薄膜，相较于传统的在薄膜外增加导电电极的方法，测量的薄膜的电学特性更为准确，同时制作方法也较为简单，并不需要十分复杂的工艺要求。此外，采用本方法制作的体电极在检测高阻薄膜时，检测的效果更为突出。

技术领域

本发明属于电极领域，具体涉及一种薄膜体电极的制作方法及薄膜。

背景技术

随着科技的发展，各种薄膜在各领域的使用也越来越广泛，相应的，对薄膜的电学特性的要求也越来越高、越来越精确，因此在很多使用环境下，都需要对薄膜的电学特性提前进行检测。

对薄膜进行电学性能的测量时，传统的方式主要是在薄膜两端贴上导电胶作为导电电极，然后在两端的导电电极上加压，进而再测量薄膜两端的电压与电流的关系。但是采用导电胶作为导电电极时，因为是外加导电电极且材质受限，因此测量薄膜的相关电学特性的检测十分不准确，特别是在检测高阻薄膜时，这一缺陷更为明显。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种薄膜体电极的制作方法，所述薄膜体电极的制作方法步骤简单，能够解决薄膜的电学特性检测不准确的问题。本发明还提出了一种薄膜。

根据本发明第一方面实施例的薄膜体电极的制作方法，包括以下步骤：将薄膜放置在衬底上；通过磁控溅射将导电材料注入到薄膜两端形成薄膜体电极；通过快速退火工艺优化薄膜体电极与薄膜之间的接触。

根据本发明实施例的薄膜体电极的制作方法，至少具有如下技术效果：通过磁控溅射可以使导电材料进入到薄膜的两端，并在薄膜的两端形成体电极，然后通过快速退火工艺可以使形成的体电极和薄膜良好结合。采用这种方式形成的带有体电极的薄膜，相较于传统的在薄膜外增加导电电极的方法，测量的薄膜的电学特性更为准确，同时制作方法也较为简单，并不需要十分复杂的工艺要求。此外，采用本方法制作的体电极在检测高阻薄膜时，检测的效果更为突出。

根据本发明的一些实施例，所述通过磁控溅射将导电材料注入到薄膜两端包括以下步骤：使用掩膜板将薄膜中间部分遮挡住并露出薄膜两端；通过磁控溅射向薄膜两端注入导电材料。

根据本发明的一些实施例，所述导电材料采用导电金属材料或金属氧化物。

根据本发明的一些实施例，所述导电金属材料采用铜或铝。

根据本发明的一些实施例，所述金属氧化物采用ITO。

根据本发明的一些实施例，所述磁控溅射的功率控制在150W至 300W。

根据本发明的一些实施例，所述衬底采用玻璃。

根据本发明的一些实施例，所述磁控溅射的温度为25℃。

根据发明第二方面实施例的薄膜，包括薄膜本体和在所述薄膜本体两端通过上述方法形成的体电极。

根据本发明实施例的薄膜，至少具有如下有益效果：采用上述方法形成的薄膜，不再需要外加导电电极进行检测，可以直接的检测薄膜的电学特性，且检测的精度远高于传统的方式的检测效果。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明第一方面实施例的主视示意图；