[发明专利]一种核壳结构量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种核壳结构量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将铟盐与有机溶剂混合，得到铟前驱体溶液；

将所述铟前驱体溶液与磷前驱体溶液混合，进行晶核生长，得到InP量子点晶核；

将所述InP量子点晶核进行去氧化处理后，以所述InP量子点晶核为核，在所述InP量子点晶核的表面生长壳层结构，得到核壳结构量子点；

所述去氧化处理采用的试剂为氟化物、硒化物或硫化物；所述氟化物包括氟化铵和/或氟化氢；所述硒化物包括硒化氨和/或硒化氢；所述硫化物包括硫化铵和/或硫化氢；

所述去氧化处理的过程包括以下步骤：

制备InP量子点晶核溶液；

将所述InP量子点晶核溶液与所述去氧化处理采用的试剂混合，进行氧化还原反应；

所述去氧化处理采用的试剂以溶液的形式加入；

所述氧化还原反应的温度为80～220℃，时间为1～60min。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铟盐包括醋酸铟、碘化铟、氯化铟、油酸铟和硬脂酸铟中的一种或几种；

所述有机溶剂包括有机酸、油胺、三辛胺、石蜡、十八稀、二十烷、二十四烷和矿物油中的任意一种；

所述有机酸包括十碳酸、十二碳酸、十四碳酸、十六碳酸和油酸中的任意一种；

所述磷前驱体溶液中的磷前驱体包括三(三甲硅烷基)磷、三(二甲胺基)磷和二乙氨基磷中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铟盐与有机溶剂的混合温度为80～150℃；

所述晶核生长的温度为260～350℃，所述晶核生长的时间为10～120min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述壳层结构为ZnS层、ZnSe层和ZnSeS层中的一层或几层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述壳层结构的锌源包括氯化锌、硝酸锌、油酸锌、硬脂酸锌、癸酸锌、月桂酸锌、十四酸锌、二十酸锌和二十四酸锌中的一种或几种；

所述ZnS层或ZnSeS层的硫源包括硫、硫化氢、硫化氨和硫醇中的一种或几种；

所述ZnSe层或ZnSeS层的硒源包括硒和/或硒化氢。

6.如权利要求1、4或5所述的制备方法，其特征在于，在所述InP量子点晶核的表面生长壳层结构的温度为300～350℃，时间为10～100min。

7.权利要求1～6任一项所述的制备方法制备得到的核壳结构量子点，其特征在于，所述核壳结构量子点的荧光光谱波长范围为520～660nm。