[发明专利]一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法

说明书

本发明公开了一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法，包括闪存主控，所述闪存主控内设有静态随机存储器和闪存控制器，所述闪存主控与存取界面通过私有指令双向连接，所述闪存控制器与闪存阵列双向连接。本发明涉及主控芯片内部状态寄存器的读取记录与输出，以及实体位置映射与逻辑位置映射转换后的解析问题，通过此方法降低在存储装置问题分析上的困难度并简化问题分析的方法。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，具体为一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法。

背景技术

闪存（NAND Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为4MB到32MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。

在现今的闪存存储装置中，透过电脑端的作业系统去编辑逻辑位址对闪存存储装置做资料存取，并透过存储装置中的事务层(FTL, Flash transaction layer)转化为闪存的实体位址对闪存的实体区块做资料存取，但当区块存取错误时，研发人员无法实时得知在闪存区块当时的状况与实体位置，必须离线透过特殊工具去判断错误方式与位置，且无法对应作业系统逻辑位址与实体位置的相对应关系。同时也定义了特定的读写资讯，让工程师可以实时了解闪存内的运作方式是否正确。

发明内容

本发明的目的在于提供一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法，包括闪存主控，所述闪存主控内设有静态随机存储器和闪存控制器，所述闪存主控与存取界面通过私有指令双向连接，所述闪存控制器与闪存阵列双向连接。

优选的，一种实时侦测闪存存取状态与错误的方法，包括以下步骤：

A、当闪存主控开始运作时，系统透过存取界面对闪存做资料操作；

B、当闪存控制器发现操作错误或是固件运行到需要记录与纠错或监看的任何状态时，会将当下需要的的资讯实时放入已规划好特定空间的静态随机存储器中；

C、并透过界面的私有指令将其资料读出并清空该区域，以便下次的错误资讯存入。

优选的，当发现固件与软件预先埋入的触发点被触发时，将定义好错误种类与方式将资料存入静态随机存储器中，具体步骤如下：

A、当静态随机存储器内的空间已填满但私有指令尚未下达读取时，新的记录分析资料可覆盖旧资料，持续地向静态随机存储器做写入；

B、或者也可以选择在存储器空间已满时暂停存入资料,等待主机端将已记录之讯息读出并空出可用空间时再继续录入讯息。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明涉及主控芯片内部状态寄存器的读取记录与输出，以及实体位置映射与逻辑位置映射转换后的解析问题，通过此方法降低在存储装置问题分析上的困难度并简化问题分析的方法。

附图说明

图1为本发明原理框图；

图2为本发明行为与状态表示示意图；

图3为本发明流程图；

图4为本发明读取错误时流程图。

具体实施方式