[发明专利]一种二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)蓝宝石基底的清洗：

将蓝宝石基片依次放入去离子水、无水乙醇以及丙酮中，分别超声清洗；再用去离子水洗净，并放入恒温干燥箱中烘干，以备后用；

(2)周期式SiO2球的制备：

将步骤(1)清洗干净的基片放置于称量瓶底部，在称量瓶中缓慢注入去离子水至容积的一半以上，然后将单分散二氧化硅球和正丁醇配成悬浊液，用滴管逐滴滴加悬浊液于称量瓶液面上，并将称量瓶放置于加热台上加热蒸发，液面上的二氧化硅球迅速团聚成膜，在正丁醇和去离子水蒸干后形成覆盖了二氧化硅球周期阵列的基片；

(3)制备钒薄膜：

将步骤(2)得到的表面覆盖了二氧化硅球的基片置于DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用高纯度金属钒作为靶材，在氩气环境中，设置溅射工作气压，调节溅射功率，设置完参数后开始沉积钒薄膜；

(4)二氧化钒薄膜的制备

将步骤(3)制得的钒薄膜置于快速退火炉中进行快速氧化热退火。

2.根据权利要求1所述二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤(3)溅射时间10-15min。

3.根据权利要求1所述二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤(4)快速退火炉通入的气体为高纯氧气，退火过程分为升温、保温、降温三个阶段，设置保温温度；保温时间参数可调，范围在50-60s之间。

4.权利要求1所述方法制备得到的二氧化硅—二氧化钒多级阵列结构。