[发明专利]eFuse存储单元、eFuse存储阵列及其使用方法、eFuse系统

权利要求书

1.一种eFuse存储单元，其特征在于，包括：

编程晶体管，所述编程晶体管的源极接地；

第一电熔丝，所述第一电熔丝具有第一端以及与所述第一端相对的第二端，所述第一电熔丝的第一端与所述编程晶体管的漏极连接；

一根或多根相并联的第二电熔丝，所述第二电熔丝与所述第一电熔丝相并联，所述第二电熔丝具有第三端以及与所述第三端相对的第四端，所述第二电熔丝的第三端与所述编程晶体管的漏极连接；

字线，与所述编程晶体管的栅极连接；

第一编程位线，与所述第一电熔丝的第二端连接；

一根或多根第二编程位线，所述第二编程位线与所述第二电熔丝一一对应，且所述第二编程位线与相对应的所述第二电熔丝的第四端连接。

2.如权利要求1所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述编程晶体管为NMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述第一电熔丝和第二电熔丝的材料均为金属材料。

4.如权利要求1所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述第二电熔丝的数量为一根。

5.如权利要求4所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述第一电熔丝和所述第二电熔丝为沿堆叠方向上相隔离的两层互连金属层。

6.如权利要求5所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述两层互连金属层在水平面内的投影相平行。

7.如权利要求5所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述第一电熔丝和所述第二电熔丝中的任一根为第一层互连金属层至第四层互连金属层中的一层。

8.如权利要求6所述的eFuse存储单元，其特征在于，所述第一电熔丝和第二电熔丝中的任一根为第一层互连金属层，另一根为第三层互连金属层；

或者，所述第一电熔丝和第二电熔丝中的任一根为第二层互连金属层，另一根为第四层互连金属层。

9.一种eFuse存储阵列，其特征在于，包括：

呈矩阵排列的多个eFuse存储单元，每个所述eFuse存储单元包括编程晶体管、第一电熔丝、以及一根或多根相并联的第二电熔丝，所述编程晶体管的源极接地，所述第一电熔丝具有第一端以及与所述第一端相对的第二端，所述第一电熔丝的第一端与所述编程晶体管的漏极连接，所述第二电熔丝与所述第一电熔丝相并联，所述第二电熔丝具有第三端以及与所述第三端相对的第四端，所述第二电熔丝的第三端与所述编程晶体管的漏极连接；

多根字线，每一根字线与所述矩阵中同一行的所述编程晶体管的栅极对应连接；

多根第一编程位线，每一根所述第一编程位线与所述矩阵中同一列的所述第一电熔丝的第二端对应连接；

多根第二编程位线，每一根所述第二编程位线与所述矩阵中同一列的所述第二电熔丝的第四端对应连接，且当每个所述eFuse存储单元中的所述第二电熔丝的数量为多根时，所述第二编程位线与所述第二电熔丝一一对应。

10.如权利要求9所述的eFuse存储阵列，其特征在于，所述编程晶体管为NMOS晶体管。

11.如权利要求9所述的eFuse存储阵列，其特征在于，所述第一电熔丝和第二电熔丝的材料均为金属材料。

12.如权利要求9所述的eFuse存储阵列，其特征在于，在每个所述eFuse存储单元中，所述第二电熔丝的数量为一根。

13.如权利要求12所述的eFuse存储阵列，其特征在于，所述第一电熔丝和所述第二电熔丝为沿堆叠方向上相隔离的两层互连金属层。

14.如权利要求13所述的eFuse存储阵列，其特征在于，所述两层互连金属层在水平面内的投影相平行。