[发明专利]预处理方法及系统、掩膜版的制造方法、设备、存储介质

说明书

一种预处理方法及系统、掩膜版的制造方法、设备、存储介质，预处理方法适于在对掩膜基板进行电子束曝光之前，利用测试掩膜基板建立尺寸偏差量的数据库，包括：设计参考版图，包括多个单元区，每一个单元区中具有多个标准图形，至少有两个所述单元区的图形密度不同，且标准图形具有预设关键尺寸；将标准图形转移至测试掩膜基板上，在测试掩膜基板上形成与标准图形相对应的测试掩膜图形；获取测试掩膜图形的实际关键尺寸；计算每一个所述单元区中，每一个所述测试掩膜图形的实际关键尺寸与相对应的所述标准图形的预设关键尺寸的差值，所述差值用于作为尺寸偏差量。本发明有利于提高掩膜版上的掩膜图形的尺寸精度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种预处理方法及系统、掩膜版的制造方法、设备、存储介质。

背景技术

光刻技术是半导体制造技术中至关重要的一项技术，光刻技术被用来将图形从包含电路设计信息的掩膜版(mask)上转移到晶圆(wafer)上，形成符合设计要求的半导体产品，在半导体制造过程中往往需要十几乃至几十道的光刻工序。

每道光刻工序都需要用到一块掩膜版，每块掩膜版的品质高低都直接影响到晶圆上光刻图形的质量优劣，从而影响芯片的成品率。且随着半导体技术的飞速发展，光刻所要曝光的关键尺寸(critical dimension，CD)越来越小，对掩膜版的质量，例如掩膜图形的形貌质量和尺寸精度、缺陷点密度、以及掩膜版的耐用性等都提出了更高的要求。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种预处理方法及系统、掩膜版的制造方法、设备、存储介质，提高掩膜版上的掩膜图形的尺寸精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种预处理方法，适于在对掩膜基板进行电子束曝光之前，利用测试掩膜基板建立尺寸偏差量的数据库，包括：设计参考版图，所述参考版图包括多个单元区，每一个所述单元区中具有多个标准图形，至少有两个所述单元区的图形密度不同，且所述标准图形具有预设关键尺寸；将所述标准图形转移至所述测试掩膜基板上，在所述测试掩膜基板上形成与所述标准图形相对应的测试掩膜图形；获取所述测试掩膜图形的实际关键尺寸；计算每一个所述单元区中，任意多个所述测试掩膜图形的实际关键尺寸与相对应的所述标准图形的预设关键尺寸的差值，所述差值用于作为尺寸偏差量。

相应地，本发明实施例还提供一种预处理系统，适于在对掩膜基板进行电子束曝光之前，利用测试掩膜基板建立尺寸偏差量的数据库，包括：版图设计模块，用于设计参考版图，所述参考版图包括多个单元区，每一个所述单元区中具有多个标准图形，至少有两个所述单元区的图形密度不同，且所述标准图形具有预设关键尺寸；图形写入模块，用于将所述标准图形转移至所述测试掩膜基板上，在所述测试掩膜基板上形成与所述标准图形相对应的测试掩膜图形；量测模块，用于获取所述测试掩膜图形的实际关键尺寸；计算模块，用于计算每一个所述单元区中，任意多个所述测试掩膜图形的实际关键尺寸与相对应的所述标准图形的预设关键尺寸的差值，所述差值用于作为尺寸偏差量。

相应地，本发明实施例还提供一种掩膜版的制造方法，包括：提供掩膜基板；提供芯片版图，包括芯片主图形；获取所述芯片主图形的图形密度；根据所述芯片主图形的图形密度、以及根据本发明实施例所述的预处理方法获得的尺寸偏差量的数据库，调整电子束曝光的工艺参数；调整电子束曝光的工艺参数后，对所述掩膜基板进行电子束曝光，将所述芯片版图转移至所述掩膜基板上，在所述掩膜基板上形成与所述芯片主图形相对应的掩膜图形。

相应地，本发明实施例还提供一种设备，包括：至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例所述的预处理方法。

相应地，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例所述的预处理方法。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：