[发明专利]通信装置、介质滤波器及其容性耦合结构、设计方法有效

专利信息
申请号: 202010129807.0 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN113328222B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 梁梓康;秦小勇;邱䶮 申请(专利权)人: 广东奥迪威传感科技股份有限公司
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208;H01P11/00
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 周修文
地址: 511400 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 通信 装置 介质 滤波器 及其 耦合 结构 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,介质滤波器为四腔双零点对称结构的介质滤波器、六腔双零点对称结构的介质滤波器、八腔双零点对称结构的介质滤波器或十六腔双零点对称结构的介质滤波器,所述介质滤波器的容性耦合结构包括:

介质块,所述介质块包括相对设置的第一表面与第二表面,所述第一表面上设有容性耦合孔,所述第一表面与所述第二表面的其中一个表面上设有间隔的两个调频孔,所述容性耦合孔与所述调频孔均为盲孔,所述容性耦合孔位于两个所述调频孔之间,所述容性耦合孔的深度为H1,所述调频孔的深度为H2,所述H1与所述H2满足关系:0.8H2≦H1≦H2;两个所述调频孔的间距为S,两个所述调频孔的轴线所形成的平面与所述介质块的第一表面相交的边的长度为A,所述S与所述A满足关系:S≧0.75A。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,所述H1=H2,S=0.75A;或者,H1=0.9H2,S=0.85A;或者,H1=0.85H2,S=0.9A。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,所述S与所述A满足关系:0.75A≦S≦0.85A。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,所述调频孔与所述介质块的边缘的间距为D,所述D不小于0.1mm。

5.根据权利要求1所述的介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,所述容性耦合孔与所述调频孔均设置于所述第一表面上。

6.根据权利要求1所述的介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,所述容性耦合孔包括内径大小保持不变的直通孔段以及与所述直通孔段相连通的凹部,所述凹部为柱形、半球形、半椭球形或锥形。

7.根据权利要求1至3任意一项所述的介质滤波器的容性耦合结构,其特征在于,所述介质块为陶瓷块。

8.一种介质滤波器,其特征在于,包括如权利要求1至7任意一项所述的介质滤波器的容性耦合结构,还包括金属层,所述金属层镀设于所述介质块的外壁、所述容性耦合孔的孔壁以及调频孔的孔壁上。

9.一种通信装置,其特征在于包括如权利要求8所述的介质滤波器。

10.一种介质滤波器的设计方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供原料,将原料通过模具压制成待进行烧制的坯体,所述坯体上设有与容性耦合孔对应的第一加工孔,以及与调频孔对应的第二加工孔;

将所述坯体进行烧制处理形成如权利要求1至7任意一项所述的介质滤波器的容性耦合结构;

在所述介质块的外壁、所述容性耦合孔的孔壁以及调频孔的孔壁上镀设金属层。

11.根据权利要求10所述的介质滤波器的设计方法,其特征在于,当需要调整所述的介质滤波器的容性耦合结构的耦合量时,通过调整两个所述第二加工孔的间距来实现。

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