[发明专利]用于高产量处理腔室的工艺套件有效
申请号: | 202010128359.2 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN111218666B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;祝基恩;S·金;王彦杰 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 产量 处理 工艺 套件 | ||
1.一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道,所述C形通道包括:
顶部环形部,所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口,所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接;
底部环形部,所述底部环形部面向所述顶部环形部;
中间环形部,所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体,其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域,所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积;以及
排气口,所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
2.根据权利要求1所述的C形通道,其中所述多个开口的第一部分设置在邻近所述排气口的第一区域中且具有第一密度,并且所述多个开口的第二部分设置在与所述第一区域相对的第二区域中且具有第二密度。
3.根据权利要求2所述的C形通道,其中所述第二密度大于所述第一密度。
4.根据权利要求1所述的C形通道,其中所述顶部环形部包括具有第一外径的外壁,所述中间环形部包括具有第二外径的外壁,并且所述底部环形部包括具有第三外径的外壁,且其中所述第一外径、所述第二外径和所述第三外径彼此相等。
5.根据权利要求4所述的C形通道,其中所述中间环形部的所述外壁与所述顶部环形部的所述外壁和所述底部环形部的所述外壁是一体的。
6.根据权利要求2或4所述的C形通道,其中所述顶部环形部包括具有第一内径的内壁,并且所述底部环形部包括具有第二内径的内壁,所述第二内径基本上等于所述第一内径。
7.根据权利要求6所述的C形通道,其中所述中间环形部包括具有第三内径的内壁,所述第三内径小于所述第一内径和所述第二内径。
8.根据权利要求1、3、4或5所述的C形通道,其中所述多个开口包括多个孔和多个狭槽中的一者。
9.根据权利要求1、3、4或5所述的C形通道,其中所述泵送区域被配置为通过所述多个开口从所述处理腔室的所述内部容积接收工艺气体。
10.根据权利要求9所述的C形通道,其中所述工艺气体通过所述排气口离开所述泵送区域。
11.一种用于处理腔室的内部容积中的衬层组件,所述衬层组件包括:
底部衬层,所述底部衬层设置在所述处理腔室的底部上;
中间衬层,所述中间衬层设置在所述底部衬层上并且耦接至所述底部衬层;以及
顶部衬层,所述顶部衬层设置在所述中间衬层上并且耦接至所述中间衬层,其中所述底部衬层、所述中间衬层和所述顶部衬层形成连续的表面,且其中所述衬层组件尺寸设置成包围所述处理腔室的所述内部容积,
其中所述顶部衬层 还包括以半径相交的外壁和顶表面。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的