[发明专利]一种红外探测器结构及制造方法

权利要求书

1.一种红外探测器结构，其特征在于，包括：设于衬底层上的牺牲层，设于所述牺牲层上的红外微桥结构，所述红外微桥结构包括微桥桥面以及支撑结构；其中，所述微桥桥面设于所述牺牲层上，所述支撑结构包括两个设于所述微桥桥面上的支撑孔和两个对应设于所述牺牲层中的金属通孔，所述牺牲层经释放去除后形成空腔，所述微桥桥面通过对应相连的所述支撑孔和所述金属通孔得到支撑及实现与所述衬底层之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的红外探测器结构，其特征在于，所述微桥桥面自下而上设有第一释放保护层、第一敏感材料层、第一金属电极层和第二释放保护层；其中，所述支撑孔形成于所述第一释放保护层和第一敏感材料层中，所述第一金属电极层沿所述支撑孔内壁表面进入所述支撑孔，并通过所述支撑孔的底部连接所述金属通孔，所述第二释放保护层将所述第一敏感材料层和第一金属电极层表面完全覆盖。

3.根据权利要求2所述的红外探测器结构，其特征在于，所述微桥桥面还设有：位于所述第一释放保护层下方的第二敏感材料层，以及位于所述第二敏感材料层下方的第二金属电极层，所述第二金属电极层位于所述牺牲层上，所述第二敏感材料层与所述第一敏感材料层之间通过所述第二金属电极层与所述第一金属电极层之间的连接相并联。

4.根据权利要求3所述的红外探测器结构，其特征在于，所述支撑孔还向下穿过所述第二敏感材料层，停止于所述第二金属电极层上，所述第一金属电极层沿所述支撑孔内壁表面进入所述支撑孔，并通过位于所述支撑孔底部的所述第二金属电极层连接所述金属通孔。

5.根据权利要求3所述的红外探测器结构，其特征在于，所述第二金属电极层的图形与所述第一金属电极层的图形位置相对应。

6.根据权利要求3所述的红外探测器结构，其特征在于，所述第二金属电极层的图形之间填充有介质隔离层。

7.根据权利要求4所述的红外探测器结构，其特征在于，所述金属通孔与所述牺牲层之间设有扩散阻挡层，所述扩散阻挡层还通过延伸至所述牺牲层上形成所述第二金属电极层。

8.根据权利要求1所述的红外探测器结构，其特征在于，所述衬底层中设有金属互连层，所述金属通孔连接所述金属互连层。

9.一种红外探测器结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底层，在所述衬底层上形成牺牲层，在所述牺牲层中形成两个通孔；

在所述通孔侧壁上沉积扩散阻挡层，然后，在所述通孔中填充金属，并去除所述通孔以外多余的金属材料和扩散阻挡层材料，形成金属通孔；

在所述牺牲层上形成介质隔离层，并图形化；

在所述介质隔离层图形中填充第二金属电极层，使所述第二金属电极层连接所述金属通孔，并图形化所述第二金属电极层；

在所述介质隔离层和第二金属电极层表面上形成第二敏感材料层，并图形化；

在所述第二敏感材料层表面上依次形成第一释放保护层和第一敏感材料层，并图形化所述第一敏感材料层；

由所述第一敏感材料层表面向下形成与两个所述金属通孔位置对应的两个支撑孔，停止于所述第二金属电极层上；

沉积第一金属电极层，将所述第一敏感材料层表面和所述支撑孔内壁表面覆盖，使所述第一金属电极层连接所述第二金属电极层，并图形化所述第一金属电极层；

沉积第二释放保护层，将所述第一敏感材料层和第一金属电极层表面完全覆盖，并图形化所述第二释放保护层。

10.根据权利要求9所述的红外探测器结构制造方法，其特征在于，还包括：形成第二敏感材料层前，先去除在所述第二金属电极层表面生成的金属氧化物。