[发明专利]一种新型太阳能电池的印刷工艺

权利要求书

1.一种新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于具体包括以下步骤：

⑴对硅片进行制绒，在其正面和背面形成减反射绒面；

⑵在步骤⑴所得硅片上进行热扩散，在硅片的正面和背面形成氧化层，并形成PN结；

⑶去除由步骤⑵所得硅片边缘的PN结；

⑷去除由步骤⑶所得硅片正面上的氧化层；

⑸在由步骤⑷所得硅片的背面上沉积钝化层；

⑹在由步骤⑸所得硅片的正面和背面上镀减反射膜；

⑺在由步骤⑹所得硅片的背面上激光开槽；

⑻在由步骤⑺所得硅片的背面上印刷全铝背场；

⑼在由步骤⑻所得硅片的背面上印刷背电极；

⑽在由步骤⑼所得硅片的正面上印刷正电极；

⑾对由步骤⑽所得硅片进行高温烧结。

2.根据权利要求1所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：所述钝化层是氧化铝膜，膜厚为4～12nm。

3.根据权利要求2所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：所述减反射膜是氮化硅膜，正面氮化硅膜的膜厚是70～90nm，背面氮化硅膜的膜厚是100～130nm。

4.根据权利要求3所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：正面减反射膜的反射率为4～9％，折射率为1.8～2.2％。

5.根据权利要求4所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：在所述步骤⑴中，所述硅片是轻掺杂的p型单晶硅片，制绒减重范围为0.5～0.8g，反射率为8～18％。

6.根据权利要求5所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：在所述步骤⑵中，将硅片置于500～800℃的炉管中进行磷扩散，时间为5～50min。

7.根据权利要求6所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：在所述步骤⑴中，所述p型单晶硅片的电阻率是0.1～6Ω·cm。

8.根据权利要求7所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：在所述步骤⑻中，丝网印刷全铝背场，印刷速度是100～400mm/S，印刷压力是30～90N，网版间距是1.2～2.8mm。

9.根据权利要求8所述的新型太阳能电池的印刷工艺，其特征在于：在所述步骤⑼中，丝网印刷背电极，印刷速度为100～400mm/S，印刷压力为30～90N，网版间距为1.2～2.8mm。