[发明专利]用于驱动存储器中的字线的方法和装置

权利要求书

1.一种用于存储器装置的子字线电路，其包括：

相位驱动器电路，所述相位驱动器电路被配置成提供第一相位信号和第二相位信号；

子字线驱动器电路，所述子字线驱动器电路包含：

上拉电路，所述上拉电路被配置成接收所述第一相位信号和全局字线信号，所述上拉电路被进一步配置成当所述第一相位信号处于第一值时驱动局部字线跟随所述全局字线信号并且当所述第一相位信号处于第二值时将所述局部字线与所述全局字线信号隔离；以及

处理装置，所述处理装置可操作地耦接到所述相位驱动器电路，所述处理装置被配置成：

在所述全局字线信号进入有效状态之前，将所述第一相位信号设置为所述第一值；并且

仅在所述全局字线信号已经进入预充电状态后，才将所述第一相位信号设置为所述第二值。

2.根据权利要求1所述的子字线电路，其中所述子字线驱动器包含下拉电路，所述下拉电路被配置成接收所述第二相位信号和低压信号，所述下拉电路被进一步配置成当所述第二相位信号处于第三值时驱动所述局部字线跟随所述低压信号，并且当所述第二相位信号处于第四值时将所述局部字线与所述低压信号隔离，并且

其中，所述处理装置在所述第一相位信号被设置为所述第一值的同时将所述第二相位信号设置为所述第三值，并且在所述第一相位信号被设置为所述第二值的同时或之后将所述第二相位信号设置为所述第四值。

3.根据权利要求2所述的子字线电路，其中所述子字线驱动器仅包含NMOS型晶体管。

4.根据权利要求3所述的子字线电路，其中所述上拉电路是第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有连接到所述相位器驱动电路的携载所述第一相位信号的第一输出线的栅极、连接到携载所述全局字线信号的全局字线的源极和连接到所述局部字线的漏极，

其中所述下拉电路是第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有连接到所述相位驱动器电路的携载所述第二相位信号的第二输出线的栅极、连接到提供所述低压信号的电压源的源极和连接到所述局部字线的漏极。

5.根据权利要求1所述的子字线电路，其中所述第一相位信号的所述第一值在电压上比处于所述有效状态的所述全局字线的值高至少所述上拉电路中的晶体管的阈值。

6.根据权利要求5所述的子字线电路，其中所述第一值处于4.2伏到4.5伏的范围内。

7.根据权利要求2所述的子字线电路，其中所述低压信号为-0.2伏。

8.一种方法，其包括：

在存储器装置中产生第一相位信号和第二相位信号；

通过在所述全局字线信号进入有效状态之前将所述第一相位信号设置为处于第一值来驱动所述存储器装置的局部字线跟随全局字线信号；以及

通过仅在所述全局字线信号已经进入预充电状态之后才将所述第一相位信号设置为处于第二值来将所述局部字线与所述全局字线信号隔离。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

通过在所述第一相位信号被设置为所述第一值的同时将所述第二相位信号设置为处于第三值来驱动所述局部字线跟随低压信号；以及

通过在所述第一相位信号被设置为所述第二值的同时或之后将所述第二相位信号设置为处于第四值来将所述局部字线与所述低压信号隔离。

10.根据权利要求9所述的方法，其中对所述局部字线的所述驱动由仅包含NMOS型晶体管的子字线驱动器执行。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述子字线驱动器包含第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有接收所述第一相位信号的栅极、接收所述全局字线信号的源极和连接到所述局部字线的漏极，

其中所述子字线驱动器进一步包含第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有接收所述第二相位信号的栅极、接收低压信号的源极和连接到所述局部字线的漏极。