[发明专利]体声波滤波器元件及其形成方法、多工器及通讯设备有效
申请号: | 202010123929.9 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111327296B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 蔡华林;庞慰 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/72 |
代理公司: | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人: | 姜劲;谷惠敏 |
地址: | 300457 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 滤波器 元件 及其 形成 方法 多工器 通讯设备 | ||
1.一种形成体声波滤波器元件的方法,其特征在于,包括:
将一部分谐振器设于上晶圆,另一部分谐振器设于下晶圆;上晶圆和下晶圆叠加设置;
上晶圆的对接管脚与下晶圆的对接管脚键合,使得上晶圆和下晶圆的谐振器连接形成滤波器;
上晶圆的谐振器与下晶圆的谐振器之间的间距在1um至50um之间;
所述滤波器的串联谐振器设于上晶圆,并联谐振器设于下晶圆;或者,所述滤波器的串联谐振器设于下晶圆,并联谐振器设于上晶圆;
对于所述串联谐振器和并联谐振器的压电层,增加压电层厚度并且/或者提高压电层介电常数,以提高所述滤波器中的谐振器的机电耦合系数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:减小所述上晶圆的谐振器与所述下晶圆的谐振器之间的寄生电容以提高所述滤波器中的谐振器的机电耦合系数。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述上晶圆的对接管脚与下晶圆的对接管脚键合之前,所述谐振器的机电耦合系数的范围是6.5%至9.5%;
对于所述提高所述滤波器中的谐振器的机电耦合系数,提高后的该机电耦合系数的范围是6.5%至9.5%。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述范围是7.5%至8.5%。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,提高所述滤波器中的谐振器的机电耦合系数的比例为1%至0.02%。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:根据谐振器、管脚的形状以及二者的布置位置来调节对接管脚的形状。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调节上晶圆的谐振器图形与下晶圆的谐振器图形之间在水平方向的交错面积,以减小上晶圆和下晶圆的谐振器之间产生的寄生电容。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调整对接管脚的限定厚度,从而调节上晶圆的谐振器与下晶圆的谐振器之间的间距,以减小上晶圆和下晶圆的谐振器之间产生的寄生电容。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
在滤波器版图上,将串联支路的前级电路和后级电路分区设置,以及将并联支路的前级电路和后级电路分区设置,并且使上晶圆上的前级电路与下晶圆的前级电路相对设置,上晶圆上的后级电路与下晶圆的后级电路相对设置,以减小所述前后级之间的寄生电容。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:对所述串联谐振器调整机电耦合系数使其变小,并且小于并联谐振器的机电耦合系数,以改善所述滤波器通带右侧的滚降性能。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:对所述并联谐振器调整机电耦合系数使其变小,并且小于串联谐振器的机电耦合系数,以改善所述滤波器通带左侧的滚降性能。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述调整机电耦合系数使其变小的步骤包括:减小谐振器压电层的厚度。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述调整机电耦合系数使其变小的步骤包括:降低谐振器压电层的介电常数。
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