[发明专利]基于阳极键合的封装装置及方法在审

专利信息
申请号: 202010121601.3 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111377396A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 刘文超;魏贤龙;郭等柱 申请(专利权)人: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 付婧
地址: 300452 天津市滨海新*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 基于 阳极 封装 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种基于阳极键合的封装装置,其特征在于,包括玻璃片部以及硅片部,所述玻璃片部与所述硅片部构成封装空腔,所述封装空腔内部的硅片上设置有芯片,所述芯片连接电极,具体的,

所述硅片部的内部设置有导电通道,所述导电通道的第一开口设置于硅片部与电极的接触面,所述导电通道的第二开口设置于所述硅片部的外表面;

所述导电通道内设置有导电介质,所述导电介质通过第一开口连接所述电极,通过所述第二开口连接外部电路;所述导电通道内侧设置有绝缘层。

2.根据权利要求1所述的基于阳极键合的封装装置,其特征在于,所述电极一端设置于所述玻璃片部与硅片部的接触面处;所述导电通道的第一开口设置于所述玻璃片部与硅片部接触面的电极处。

3.根据权利要求1所述的基于阳极键合的封装装置,其特征在于,所述导电通道的第一开口的孔直径小于电极的宽度。

4.根据权利要求1所述的基于阳极键合的封装装置,其特征在于,所述导电通道的第一开口的开口面积完全覆盖在所述电极的表面。

5.根据权利要求1所述的基于阳极键合的封装装置,其特征在于,所述芯片连接多个电极,所述导电通道的数量与电极数量相同。

6.根据权利要求5所述的基于阳极键合的封装装置,其特征在于,所述电极数量为两个,所述两个电极分别设置于所述芯片的两侧,所述导电通道分别设置于所述硅片部两端。

7.一种基于阳极键合的封装方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

将芯片和电极设置于硅片部上,所述芯片和电极相连接;

将所述硅片部与玻璃片部在真空环境下进行阳极键合,以封装所述芯片和电极;

在所述硅片部的内部设置导电通道,所述导电通道的第一开口设置于硅片部与电极的接触面,所述导电通道的第二开口设置于所述硅片部的外表面;

在导电通道内设置导电介质,所述导电介质通过第一开口连接所述电极,通过所述第二开口连接外部电路;所述导电通道内侧设置有绝缘层。

8.根据权利要求7所述的基于阳极键合的封装方法,其特征在于,所述电极一端设置于所述玻璃片部与硅片部的接触面处;所述导电通道的第一开口设置于所述玻璃片部与硅片部接触面的电极处。

9.根据权利要求7所述的基于阳极键合的封装方法,其特征在于,所述电极数量设置为两个,所述两个电极分别设置于所述芯片的两侧,所述导电通道分别设置于所述硅片部两端。

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