[发明专利]一种稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010121092.4 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111218278A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 彭跃红;李家旺;聂建全;李文禹;王琦闻;杨尔均;赵文倩;梁莹 申请(专利权)人: 楚雄师范学院
主分类号: C09K11/74 分类号: C09K11/74
代理公司: 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 代理人: 龙燕
地址: 675000 云南省楚*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 稀土 共掺铋系 层状 半导体 绿色 转换 发光 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料,其特征在于:该发光材料的化学通式为:Bi1-x-yYbxTbyOM,其中,x=0.01~0.1,y=0.01~0.05;M为元素F、Cl、Br中的一种。

2.权利要求1所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于,采用液相方法制备,具体包括以下步骤:

(1)按照化学计量比分别称量Bi(NO3)·5H2O、卤化物、Yb2O3、Tb4O7原料,将Yb2O3、Tb4O7溶于浓硝酸中,蒸干制得稀土硝酸盐;

(2)将Bi(NO3)·5H2O、卤化物和稀土硝酸盐溶于去离子水中,室温下搅拌混合均匀,调节pH值至6~8;然后转入内衬聚四氟乙烯的不锈钢高压反应釜中,使反应釜的填充体积为80%;随后置于电热恒温烘箱中在120~160℃条件下反应4~24h;待冷却到室温,离心,用去离子水和无水乙醇洗涤所收集的反应沉淀物数次,于60℃~80℃空气气氛中干燥处理;

(4)将烘干产物放入马弗炉中400℃~500℃热处理0.5~3h,即得化学式为Bi1-x-yYbxTbyOM的Yb3+/Tb3+共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料。

3.根据权利要求2所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中卤化物为NH4F、KCl或KBr。

4.根据权利要求2所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中pH值调节剂为浓氨水或氢氧化钾溶液。

5.权利要求1所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于,采用固相法制备,具体包括以下步骤:

(1)根据化学计量比分别称量Bi2O3、Yb2O3、Tb4O7和过量的卤化铵原料,置于玛瑙研钵中,加入分散剂研磨,使原料充分混合均匀后烘干;

(2)将烘干后的原料置于坩埚,放入马弗炉中在空气气氛下400~600℃烧结1~4h;冷却至室温,将烧结好的样品再次研磨,即可得到化学式为Bi1-x-yYbxTbyOM的Yb3+/Tb3+共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料。

6.根据权利要求5所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于:所述分散剂为无水乙醇,加入量为掩盖原材料即可。

7.根据权利要求5所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于:卤化铵过量10%~20%。

8.根据权利要求5所述稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料的制备方法,其特征在于:所述卤化铵为氟化铵、氯化铵或者溴化铵。

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