[发明专利]太阳能电池缓坡结构及其制造方法

说明书

本发明旨在揭露一种太阳能电池缓坡结构及其制造方法，其于一基板上设置复数材料层(第一材料层至第四材料层)，依据该些材料层所形成的表面阶梯层结构，于进行光阻曝光、显影、去除的步骤时能够有效去除光阻，而避免部分需要蚀刻的金属层因光阻过厚或过高导致金属残留。

技术领域

本发明是有关于一种太阳能电池，其尤指一种具有缓坡结构的太阳能电池及其制造方法。

背景技术

请参阅图1A至图1C，其为习知太阳能电池的示意图一至三。一般太阳能电池结构如图1A所示，其于基板0’上设置复数材料层(如第一材料层1’、第二材料层3’、第三材料层5’、第四材料层7’(金属层))，再于材料层的上方涂布一光阻P’，此即为习知太阳能电池结构在设置完材料层、光阻P的示意图。

承接前段，如图1B所示，接续的流程为将设置于材料层上方的光阻P进行曝光、显影、去除等步骤，仅留下材料层于基板上方，而利于后续部分材料层(如金属层)执行蚀刻步骤。其中，如图1A所示，由于光阻P’的最左方区域的厚度较高，因此该区域的光阻P’通常无法有效清除，而如图1B所示，即为光阻P’经去除后仍然残留的示意图。

尔后，如图1C所示，传统在完成光阻P’去除程序后，欲蚀刻的金属层7’上方不应该再存在光阻P’，否则将无法顺利蚀刻金属而导致金属残留。图1C即为当操作人员发现仍然有部分光阻P’未有效清除，而于清除的后发现进行蚀刻步骤后所残留的金属层7”示意图。

故，本发明人鉴于上揭所衍生的问题进行改良，兹思及发明改良的意念着手研发解决方案，遂经多时的构思而有本发明的太阳能电池缓坡结构及其制造方法产生，以服务社会大众以及促进此业的发展。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种太阳能电池缓坡结构及其制造方法，其于基板上设置材料层(如第一材料层至第四材料层)、光阻以形成阶梯结构，而于执行光阻曝光、显影、去除以及金属层蚀刻步骤时，能够有效清除默认的光阻区域，避免光阻涂布过厚而无法有效清除导致部分金属残留的问题。

本发明的一目的在于提供一种太阳能电池缓坡结构及其制造方法，其透过保留光阻层小于其中的一材料层(第一材料层至第四材料层的一)的面积，使后续进行蚀刻时，让金属层(第四材料层)的面积小于其中的一材料层(如第二材料层)，藉此退缩部分金属层以让残留金属得以有效去除。

为了达成上述所指称的各目的与功效，本发明揭露一种太阳能电池缓坡结构的制造方法，其步骤包含：

设置一第一材料层于一基板上，该第一材料层的面积小于该基板；

设置于一第二材料层于该第一材料层上，该第二材料层的面积小于该第一材料层，该第二材料层未与该第一材料层接触以及该第一材料层未与该基板接触的表面形成一第一表面阶梯层；

设置一第三材料层于该第一表面阶梯层，使该第三材料层未与该基板接触的表面形成一第二表面阶梯层；

设置一第四材料层于该第二表面阶梯层以及该基板上；

涂布一光阻于该第四材料层，经曝光、显影、剥除该光阻，而保留一光阻层位于该第四材料层上方与该第二材料层平行；以及

蚀刻未包含该光阻层的该第四材料层，再剥除该光阻层使该第四材料层位于该第三材料层上与该第二材料层平行。

另外，本发明揭露一种太阳能电池缓坡结构，其包含：

一第一材料层，设置于一基板上，该第一材料层的面积小于该基板；

一第二材料层，设置于该第一材料层上，该第二材料层的面积小于该第一材料层，该第二材料层未与该第一材料层接触以及该第一材料层未与该基板接触的表面形成一第一表面阶梯层；

一第三材料层，设置于该第一表面阶梯层，使该第三材料层未与该基板接触的表面形成一第二表面阶梯层；以及