[发明专利]一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法

权利要求书

1.一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)步骤S1制备氧化铝模板，

(2)步骤S2制备镍纳米阵列基底，具体步骤如下：

S2.1物理气相沉积蒸金：使用真空镀膜机缓慢匀速的在Al2O3孔道及铝模板表面覆盖一定厚度的金纳米颗粒，以增强基底导电性，方便后续镀镍；

S2.2电化学镀镍：利用电化学工作站，选取合适的程序，在镀有金的氧化铝模板表面电化学沉积一层镍膜，镍顺着Al2O3孔道生长，填满孔道形成一根根的镍柱，并在表面形成一定厚度的镍膜。沉积结束后，取下模板冲净自然晾干，而后将镍膜自氧化铝模板上剥除。

(3)步骤S3制备Ag/Ni纳米阵列：采用超声辅助原位沉积的方法在Ni柱表面沉积Ag纳米颗粒，并通过控制超声时长得到不同厚度的Ag膜。

(4)步骤S4制备Ni/Ag/BiVO4纳米阵列：通过连续离子层吸附反应的方法，在S3步骤得到的Ag膜外部沉积一定圈数、均匀的BiVO4纳米颗粒薄膜

(5)步骤S5制备Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列：采用化学浴沉积的方法，在上述步骤制得的样品表面沉积一定厚度的CdS膜，并通过控制沉积次数的不同，得到不同厚度的CdS膜。

2.根据权利要求1所述的基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法，其特征在于：步骤S1制备氧化铝模板，具体步骤如下：

S1.1裁剪铝片：裁剪大小适合的铝片并用丙酮、乙醇对其进行超声清洗处理；

S1.2抛光清洁：用电化学的方法对预处理过的铝片进行抛光处理，达到二次清洁的作用；

S1.3物理压印：用已制备的表面有纳米点阵列的镍膜对光滑的铝片表面进行物理压印，使铝片表面有排布规则的纳米凹坑；

S1.4阳极氧化：取压印过的铝片放置于配制好的电解液中，对其进行阳极氧化，使得压印得到的纳米凹坑向下凹陷，并在纳米孔及部分表面生成Al2O3。