[发明专利]基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路

权利要求书

1.一种基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路，其特征在于，该电路包括电容、重置管、正反馈管、两级串联的反相器、铁电晶体管；其中，电容的两端分别连接于第一级反相器的输入端与GND；重置管是一个N型MOSFET器件，栅端与第二级反相器的输出端相连，漏端与第一级反相器的输入端相连，源端连接于GND；正反馈管是一个P型MOSFET器件，栅端与第一级反相器的输出端相连，漏端与第一级反相器的输入端相连，源端连接于固定的电源电压；两级串联的反相器由两组互补CMOS构成；铁电晶体管是一个N型FeFET器件，漏端与第一级反相器的输入端相连，源端连接于GND，栅端连接于与另一具有同样结构的侧抑制神经元电路的第一级反相器的输入端。

2.如权利要求1所述的基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路，其特征在于，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷。

3.如权利要求1所述的基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路，其特征在于，两级串联的反相器起到放大输入端电压变化的作用，脉冲生成于其输出端，其中CMOS的N型MOSFET的源端与GND相连，CMOS的P型MOSFET的源端与固定的电源电压相连。

4.如权利要求1所述的基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路，其特征在于，所述FeFET器件基于MFMIS、MFIS或MFS结构。

5.如权利要求1所述的基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路，其特征在于，所述FeFET器件采用钙钛矿型铁电(PZT,BFO，SBT)、铁电聚合物(P(VDF-TrFE))材料或HfO2掺Zr(HZO)、HfO2掺Al(HfAlO)、HfO2掺Si、HfO2掺Y。