[发明专利]一种超疏水涂层防水电路板及其制备方法

权利要求书

1.一种超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：将去离子水以及无水乙醇分别加入氧化物纳米粒子中，形成氧化物纳米粒子溶液；

S2：将硅烷偶联剂和氨水分别加入所述氧化物纳米粒子溶液中，于60℃~80℃条件下搅拌，得到改性后的氧化物纳米粒子溶液；

S3：将所述改性后的氧化物纳米粒子溶液静置沉淀，过滤，得到固体颗粒；对所述固体颗粒进行干燥，得到改性的氧化物纳米粒子；

S4：将硅烷偶联剂与无水乙醇混合，制备偶联剂无水乙醇溶液；

S5：将交联剂、所述偶联剂无水乙醇溶液以及碱性硅溶胶混合搅拌，得到改性的硅溶胶；

S6：将所述改性的氧化物纳米粒子加入所述改性的硅溶胶中，进行超声处理，得到超疏水涂层用溶液；

S7：将所述超疏水涂层用溶液涂抹在电路板上，干燥，得到超疏水涂层防水电路板；

所述氧化物纳米粒子的粒径包括100nm和20nm，粒径为100nm的所述氧化物纳米粒子和粒径为20nm的所述氧化物纳米粒子的质量比范围为（0.5~1）:1。

2.如权利要求1所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，所述氧化物纳米粒子选自纳米Al₂O₃、纳米SiO₂、纳米TiO_2、纳米ZnO中的至少一个。

3.如权利要求1所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述氧化物纳米粒子的加入量范围为1g~5g，所述去离子水的加入量范围为100ml~200ml，所述无水乙醇的加入量范围为20ml~80ml。

4.如权利要求1所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自全氟辛基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷中的至少一种。

5.如权利要求4所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述硅烷偶联剂的加入量范围为50μL~120μL；所述氨水的加入量为300μL；所述搅拌时间范围为15h~20h。

6.如权利要求1所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，所述交联剂包括甲基三乙氧基硅烷。

7.如权利要求1所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，所述偶联剂乙醇溶液中偶联剂的浓度范围为5mM/L~20mM/L；步骤S5中所述交联剂的加入量为20ml；所述偶联剂无水乙醇溶液的加入量为20ml；所述碱性硅溶胶的加入量为6ml。

8.如权利要求1所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法，其特征在于，步骤S7中的所述干燥步骤包括自然干燥1.5h，于80℃真空条件下干燥2h~3h。

9.一种超疏水涂层防水电路板，其特征在于，由权利要求1~8任一项所述的超疏水涂层防水电路板的制备方法制备。