[发明专利]电子装置在审
申请号: | 202010112777.2 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN113299664A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 徐怡华;高克毅;曾名骏;廖宏昇 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孙静;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
本揭露提供一种电子装置,包括基板以及多条导线。基板包括第一非弯折区及弯折区。多条导线从第一非弯折区延伸至弯折区。至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线,且至少部分多条导线中的每一条具有两条次导线,且两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类电子产品的蓬勃发展,消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。
因此,电子产品需被改良,然而目前的电子产品仍存在一些问题需要解决。更详细而言,电子装置中存在弯折区,导线经过弯折制程可能导致断线。
发明内容
本揭露提供一种电子装置,可改善电子装置弯折区导线断线的情形。
根据本揭露的实施例,电子装置包括基板以及多条导线。基板包括第一非弯折区及弯折区。多条导线从第一非弯折区延伸至弯折区。至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线,且至少部分多条导线中的每一条具有两条次导线,且两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
基于上述,在本揭露的实施例中,通过至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线,且至少部分多条导线中的每一条具有以不小于1mm的距离彼此分隔的两条次导线,以改善电子装置弯折区导线断线的情形。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为本揭露一实施例的电子装置的立体示意图;
图2为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图;
图3至图8为本揭露一些实施例的电子装置的俯视示意图。
附图标号说明:
10、20、30、40、50、60:电子装置;
12、14:基板;
16:驱动芯片;
100:第一非弯折区;
102:第二非弯折区;
200、200A:弯折区;
d:距离;
h:内凹宽度;
L110、L110’、L120、L130、L140、L150、L160、L410、L420、L430、L440:导线;
L112、L112’、L114、L114’、L122、L124、L132、L134、L142、L144、L152、L154、L162、L164、L412、L414、L422、L424、L432、L434、L442、L444:次导线;
L114-1、L114’-1、L124-1、L134-1、L144-1、L154-1、L164-1、L414-1、L424-1、L434-1、L444-1:第一部分;
L114-2、L114’-2、L124-2、L134-2、L144-2、L154-2、L164-2、L414-2、L424-2、L434-2、L444-2:第二部分;
L114-3、L124-3、L134-3、L144-3、L154-3、L164-3:第三部分;
PR:像素区;
p:像素间距;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的