[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，具备：

半导体衬底，具有第1导电型，且在背面具备破碎层；

存储单元阵列，配置在所述半导体衬底的与所述破碎层相反侧的正面上；及

第1导电型高电压晶体管，配置在所述半导体衬底上，具备第1导电型通道，对所述存储单元阵列供给高电压；且

所述第1导电型高电压晶体管具备：

阱区域，配置在所述正面，具有与第1导电型为相反导电型的第2导电型；

源极区域及漏极区域，配置在所述阱区域，且为第1导电型；及

第1高浓度层，配置在所述破碎层与所述阱区域之间，浓度比所述半导体衬底的杂质浓度高，且为第1导电型。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中所述第1高浓度层为电浮动状态。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其中所述阱区域中的第2导电型杂质浓度的峰值位准比所述第1高浓度层的第1导电型杂质浓度的峰值位准高。

4.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其还具备第2高浓度层，所述第2高浓度层配置在所述破碎层与所述第1高浓度层之间，且为第2导电型。

5.根据权利要求4所述的非易失性半导体存储装置，其中所述第2高浓度层为电浮动状态。

6.根据权利要求4所述的非易失性半导体存储装置，其还具备高浓度接触层，所述高浓度接触层在所述半导体衬底上，配置在所述阱区域的周边，电连接在所述第2高浓度层，且为第2导电型。

7.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其还具备第2导电型高电压晶体管，所述第2导电型高电压晶体管配置在所述半导体衬底上且具备第2导电型通道，

所述第2导电型高电压晶体管具备：

源极区域及漏极区域，配置在所述正面；

第3高浓度层，配置在所述破碎层与所述源极区域及所述漏极区域之间，浓度比所述半导体衬底的杂质浓度高，且为第1导电型；及

第4高浓度层，配置在所述破碎层与所述第3高浓度层之间，且为第2导电型。

8.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其还具备：

第2导电型高电压晶体管，配置在所述半导体衬底上，具备第2导电型通道；

第2导电型低电压晶体管，配置在所述半导体衬底上，具备第2导电型通道；及

第1导电型低电压晶体管，配置在所述半导体衬底上，具备第1导电型通道。

9.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，具备：

选择块节点；及

电平转换器，经由所述选择块节点对所述存储单元阵列供给高电压；且

所述电平转换器具备所述第1导电型高电压晶体管。

10.根据权利要求9所述的非易失性半导体存储装置，其中所述电平转换器具备：

第2第二导电型高电压晶体管，具有与所述第1导电型高电压晶体管的源极及所述阱区域连接的源极、供给高电压的漏极、及与所述第1导电型高电压晶体管的漏极及所述选择块节点连接的栅极；以及

第1第二导电型高电压晶体管，具备与所述第1导电型高电压晶体管的漏极及所述选择块节点连接的源极、及连接在外部的漏极，且驱动所述第2第二导电型高电压晶体管。