[发明专利]基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器

权利要求书

1.一种铌酸锂-硅晶圆高速低电压马赫-曾德干涉结构的电光调制器，其特征在于：由下到上包括硅衬底层、二氧化硅隔离层、铌酸锂晶圆层和硅波导层，在所述的硅波导层刻蚀形成多模干涉仪、移相臂、模斑转换器、直流偏置电极和射频电极，从输入端到输出端依次是高折射率区、模斑转换区、电光调制区、模斑转换区和高折射率区，所述移相臂包括热调移相臂和电调移相臂，所述的多模干涉仪、热调移相臂位于高折射率区域，所述的模斑转换器位于所述的模斑转换区，所述的电调移相臂位于所述的电光调制区；所述的多模干涉仪、移相臂、模斑转换器构成波导结构组件，所述的直流偏置电极形成在所述的热调移相臂附近，所述的射频电极形成在所述的电调移相臂附近。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂-硅晶圆高速低电压马赫-曾德干涉结构的电光调制器，其特征在于：所述的波导结构组件包括两个多模干涉仪、四个模斑转换器、两个热调移相臂、两个电调移相臂、直流偏置电极和射频电极，所述的两个多模干涉仪分别作为合波器与分波器，所述的合波器的两个输出端口分别与所述的两个热调移相臂的一端相连，该两个热调移相臂的另一端分别与两个模斑转换器的一端相连，该两个模斑转换器的另一端分别与两个电调移相臂的一端相连，该两个电调移相臂的另一端分别与另两个模斑转换器的一端相连，该两个模斑转换器另一端与所述的合波器相连。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂-硅晶圆高速低电压马赫-曾德干涉结构的电光调制器，其特征在于：所述的模斑转换器可以通过单层锥形耦合器或者双层锥形耦合器实现。

4.根据权利要求1所述的铌酸锂-硅晶圆高速低电压马赫-曾德干涉结构的电光调制器，其特征在于：所述的波导结构组件依次是第一多模干涉仪、热调移相臂、模斑转换器、电调移相臂和第二多模干涉仪。